Produktübersicht
Die chemische Reinigungsanlage für einzelne{0}Wafer ist eine automatisierte Nassreinigungsplattform für einzelne{1}Wafer, die für die Anforderungen an die Front-- und Post--Reinigung von Halbleitern entwickelt wurde. Es führt die Reinigung von Substraten und Epitaxieschichten, die Entfernung von Fotolacken, die Entfernung von Oxiden und andere wichtige Reinigungsverfahren durch.
Die Maschine verfügt über mehrere -Sprüharme und feste Sprühdüsen, um vielfältige Flüssigkeitssprühkombinationen zu realisieren. Der stabile Luftstrom nach unten optimiert sowohl die statische als auch die dynamische Kammerumgebung. Die Multi-Becherstruktur ermöglicht eine effektive chemische Trennung, und der Gas--Flüssigkeitstrennmechanismus trennt organische Abfallflüssigkeiten und entionisiertes Wasser. Die integrierte-intelligente automatische-Reinigungsfunktion unterstützt den SPM-Prozess bei hohen-Temperaturen und verringert die Häufigkeit vorbeugender Wartungsarbeiten. Die Ausrüstung unterstützt Waferkompatibilität mit mehreren Größen und deckt Substrate wie Si, SiC, LN, LT, Glas, GaAs, InP und Saphir ab. Modulare Kammeroptionen ab 2-8 Kammern erfüllen Anforderungen von der Forschung und Entwicklung im Labor bis hin zur Massenfertigung in großen Stückzahlen.
Vorteile
Hervorragende Reinigungsleistung
Strenge Partikelkontrolle Weniger als oder gleich 10ea@0.1μm, extrem-geringe Metallionenkontamination bis zu 5E9 Atome/cm². Entfernt effektiv Partikel, organische Rückstände und Metallverunreinigungen, um die Ausbeute des nachfolgenden-Prozesses zu gewährleisten.
Optimierte Kammerumgebungskontrolle
Eine stabile vertikale Abwärtsströmung innerhalb der Kammer unterdrückt die Wiederanlagerung von Partikeln. Die Multi-Becherstruktur isoliert verschiedene Chemikalien, um Kreuzkontaminationen zu verhindern. Das Design der Gas-Flüssigkeitstrennung trennt organische Abfälle und DI-Wasser für eine sicherere Abfallentsorgung.
Flexibles Multimodus-Sprühsystem
Ausgestattet mit bis zu drei Sprüharmen und einer festen Düse. Mehrere Sprühmuster können kombiniert werden, um verschiedene Reinigungsrezepte für unterschiedliche Substrate und Verschmutzungsbedingungen anzupassen.
Intelligente Selbstwartungsfunktion
Die integrierte Auto-Clean-Funktion unterstützt die SPM-Reinigung bei hohen-Temperaturen. Es reduziert den manuellen Reinigungsaufwand und verlängert die mittlere Zeit zwischen vorbeugenden Wartungsarbeiten.
Anwendungen
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Fortschrittliche Verpackung
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MEMS-Geräte
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Leistungshalbleitergeräte
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Integrierte HF-Schaltkreise
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Halbleiteroptik
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Optische Kommunikationskomponenten
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Herstellung von Fotomasken
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Laboratorien von Universitäten und Forschungsinstituten
Parameter
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Artikel |
Spezifikation |
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Modell |
ACL-Serie |
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Prozessfunktion |
Reinigung von Substraten und Epitaxieschichten, PR-Streifen, Oxidentfernung |
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Unterstützte Substrate |
Si, SiC, LN, LT, Glas, GaAs, InP, Saphir |
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Kammerkonfiguration |
2–8 Kammern (optional) |
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Partikelkontrolle |
Kleiner oder gleich 10ea@0,1 μm |
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Metallionenkontamination |
5E9 Atome/cm² |
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Sprüheinheit |
Bis zu 3 Sprüharme + 1 feste Düse |
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Hauptmerkmal |
Automatische-Reinigung, unterstützt Hochtemperatur--SPM-Prozess und Gas-{2}}Flüssigkeitstrennung |
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Verarbeitungsmodus |
Automatische Verarbeitung einzelner-Wafer |
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Dimension (2-4 Kammern) |
2560 × 2426 × 2863 mm (B×T×H) |
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Dimension (8 Kammern) |
5252 × 2412 × 2959 mm (B×T×H) |
FAQ
FAQ
F: Welche Reinigungsaufgaben kann diese chemische Reinigungsanlage für einzelne Wafer erledigen?
A: Es übernimmt die Reinigung von Substraten und Epitaxieschichten, die Entfernung von Fotolacken, die Entfernung von Oxidschichten und andere standardmäßige Nassreinigungsabläufe für Halbleiter. Es wird häufig vor und nach Lithografie-, Ätz- und Dünnschichtabscheidungsprozessen eingesetzt. Bitte geben Sie für die Rezepturabstimmung Ihr Substratmaterial und die Art der Verunreinigung an.
F: Was ist der Vorteil des Gas-Flüssigkeits-Trennmechanismus?
A: Es trennt organische chemische Abfälle und DI-Wasserabflussströme. Es vermeidet eine Quervermischung von Chemikalien in der Abfallleitung, reduziert die Korrosion der Rohrleitung und erleichtert die anschließende Behandlung von Abfallflüssigkeiten.
F: Was bewirkt die Auto Clean-Funktion?
A: Auto Clean ist eine intelligente Selbstreinigungsfunktion der Kammer. Es unterstützt die Hochtemperatur-SPM-Reinigung des Kammerinneren, reduziert die Partikelansammlung in Hohlräumen und verringert die PM-Wartungshäufigkeit.
F: Kann die Maschine unterschiedliche Wafergrößen verarbeiten?
A: Ja. Die Plattform ist auf Waferkompatibilität mit mehreren Größen ausgelegt. Der Wechsel zwischen qualifizierten Wafergrößen erfordert keine groß angelegten Hardwaremodifikationen.
F: Was ist der Unterschied zwischen der chemischen Reinigung einzelner Wafer und der Chargenreinigung?
A: Bei der Einzelwaferreinigung wird jeder Wafer unabhängig behandelt, wobei die chemische Dosierung, Temperatur und Prozesszeit präzise kontrolliert werden. Es erreicht eine überlegene Partikel- und Metallionenleistung, die für Verbindungshalbleiter, optische Chips und High-End-Geräte mit strengen Sauberkeitsanforderungen geeignet ist. Die Batch-Reinigung verarbeitet mehrere Wafer zusammen und ist für die Produktion von Standard-Siliziumwafern in großen Mengen kostengünstiger.
F: Kann ich für den Laborgebrauch eine Version mit kleiner Kammer wählen?
A: Ja. Die Kammeranzahl kann zwischen 2 und 8 gewählt werden. Konfigurationen mit geringer Kammeranzahl eignen sich für Forschung und Entwicklung sowie für die Produktion von Kleinserienversuchen, während Versionen mit höherer Kammeranzahl für Massenproduktionslinien gedacht sind.
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