Fotolack- und Metallablösegeräte

Fotolack- und Metallablösegeräte

Photoresist Stripping Equipment ist eine voll-automatische Nassverarbeitungsanlage-für Photoresist-Stripping- und Metall-Lift-Off-Anwendungen-in der Halbleiterindustrie.
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Beschreibung

Produktübersicht

 

Photoresist Stripping Equipment ist eine voll-automatische Nassverarbeitungsanlage-für Photoresist-Stripping- und Metall-Lift-Off-Anwendungen-in der Halbleiterindustrie.

Ausgestattet mit Einweich-, Stripper- und Rein{0}}Trockenkammern führt die Maschine den gesamten Arbeitsablauf durch, einschließlich der Fotolackauflösung durch chemisches Einweichen, Metall- und Fotolackentfernung, Waferspülung und -trocknung, wodurch ein Trocknungsvorgang-im Austrocknungsvorgang- realisiert wird. Es ist mit mehreren Substratmaterialien wie Si, Glas, Saphir, GaAs, InP, GaN, SiC, LT und LN kompatibel. Die Stripperflüssigkeit kann über ein mehrstufiges Filtersystem recycelt werden. Optionale Kammerkonfigurationen (1-2 Einweichen, 1-2 Stripper, 1-2 Reinigen) erfüllen sowohl die Anforderungen von Labor-F&E-Pilotprojekten als auch die Anforderungen der Massenproduktion in großen Mengen.

Vorteile

Voll-automatischer Trocknungsvorgang-im Trocknungsvorgang-

Automatischer Wafertransfer und vollständige-Prozessausführung ohne manuellen Eingriff. Alle Abzieh-, Abhebe-, Reinigungs- und Trocknungsschritte werden im Werkzeug durchgeführt, um eine sekundäre Verunreinigung des Wafers zu vermeiden.

Zuverlässige Prozessleistung

Metallabtragsrate > 99 % und Fotolack-Ablöserate > 99 %. Die Partikelleistung erreicht weniger als oder gleich 20ea@0.2μm, um eine hohe Produktionsausbeute sicherzustellen.

Flexible Kammeranpassung

Einweich-, Stripper- und Reinraumkammern sind optional in 1 bis 2 Sätzen erhältlich. Konfigurationen können für kleine-Chargenforschungs- und-Produktionslinien mit hohem Durchsatz maßgeschneidert werden.

Chemisches Recyclingsystem

Die mehrstufige Filterung ermöglicht die Rückgewinnung und Wiederverwendung von Stripperflüssigkeit. Es senkt den Chemikalienverbrauch und die Betriebskosten und sorgt gleichzeitig für eine umweltfreundliche Produktion.

 

Anwendungen

 

  • Fortschrittliche Verpackung
  • MEMS-Geräte
  • Leistungshalbleitergeräte
  • Integrierte HF-Schaltkreise
  • Halbleiteroptik
  • Optische Kommunikationskomponenten
  • Laboratorien von Universitäten und Forschungsinstituten

 

Parameter

 

Artikel

Spezifikation

Modell

AST-Serie

Prozessfunktion

Fotolackstreifen, Metallabhebung-Aus

Unterstützte Substrate

Si, Glas, Saphir, GaAs, InP, GaN, SiC, LT, LN

Kammerkonfiguration

1-2 Einweichen, 1-2 Stripper, 1-2 Reinigen (optional)

Partikelkontrolle

Kleiner oder gleich 20ea@0,2 μm

Metallentfernungsrate

>99%

PR-Stripping-Rate

>99%

Dimension (3-Kammer)

2230 × 1980 × 2450 mm (B×T×H)

Dimension (6-Kammer)

3040 × 1980 × 2760 mm (B×T×H)

Verarbeitungsmodus

Automatisch, Trocknen-ein- und austrocknend-

Chemisches System

Stripper-Flüssigkeitsfiltration und -recycling

 

FAQ

 

FAQ

F: Welche Arten von Substraten kann das Photoresist Stripping Equipment verarbeiten?

A: Es unterstützt Si, Glas, Saphir, SiC, GaN, GaAs, InP, LN und LT. Bitte geben Sie zur Rezeptbewertung Ihr Substratmaterial und die Wafergröße an.

F: Was bedeutet „Trocknen beim Austrocknen“?

A: Die Waffeln werden im trockenen Zustand in die Maschine geladen. Einweichen, Strippen, Reinigen und Stickstofftrocknen werden alle in der Anlage durchgeführt. Die Waffeln werden vollständig trocken entladen. Keine manuelle Handhabung nasser Wafer, wodurch das Kontaminationsrisiko erheblich reduziert wird.

F: Kann die Stripperflüssigkeit wiederverwendet werden?

A: Ja. Die Photoresist-Stripping-Ausrüstung ist in einen mehrstufigen Filterzirkulationskreislauf integriert. Die Lebensdauer der Chemikalien hängt vom Produktionsdurchsatz und der Konzentration der Metallrückstände ab. Das System überwacht den Chemikalienstatus und erinnert den Bediener an den Austausch.

F: Was ist der Unterschied zwischen diesem Nass-Lift-Off-Werkzeug und dem Plasma-Ascher?

A: Dieses Gerät führt einen nasschemischen Lift-Off-Prozess durch. Es dient zum Abheben von Metall und entfernt überschüssiges Metall zusammen mit Fotolack. Bei der Plasmaveraschung handelt es sich um ein Trockenverfahren, das hauptsächlich zur Veraschung von Fotolacken dient und nicht zum Abheben dicker Metalle geeignet ist.

F: Ist eine labororientierte Kleinserienversion verfügbar?

A: Ja. Eine flexible Kammerauswahl wird unterstützt. Für Forschungs- und Entwicklungszwecke steht eine kompakte Konfiguration mit 1 Einweich- +1 Stripper +1 Reinkammer zur Verfügung, während die Mehrkammerversion für die Massenproduktion geeignet ist.

F: Welche Ertragsleistung können wir erzielen?

A: Bei optimierten Rezepturen beträgt die Partikelanzahl höchstens 20ea@0.2μm, die Metallentfernungsrate und die PR-Entfernungsrate liegen jeweils über 99 %. Die tatsächliche Ausbeute wird auch durch vorgelagerte Lithographie- und Metallabscheidungsprozesse beeinflusst. Wir bieten technische Unterstützung bei der Prozessoptimierung.

 

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