Wafer-Beschichtungsausrüstung

Wafer-Beschichtungsausrüstung

Diese Wafer-Beschichtungsanlage wurde speziell für 12-Zoll-Halbleiterwafer entwickelt und ist speziell auf Dual-Damascene-Kupferverbindungsprozesse zugeschnitten, die Technologieknoten von 90 nm bis hin zu 28 nm abdecken.
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Beschreibung

Produktübersicht

 

Diese Wafer-Beschichtungsanlage wurde speziell für 12-Zoll-Halbleiterwafer entwickelt und ist speziell auf Dual-Damascene-Kupferverbindungsprozesse zugeschnitten und deckt 90-nm- bis hin zu 28-nm-Technologieknoten ab.
Es handelt sich um ein vollständig integriertes Arbeitstier, vollgepackt mit allen Komponenten, die Sie für einen reibungslosen Arbeitsablauf benötigen: 3 Ladeanschlüsse, 4 Galvanisierungskammern, 4 Reinigungskammern zur Kantenschrägenentfernung (EBR), 8 Glühkammern und zwei unabhängige Badinstallationssysteme. Für die Erledigung der Aufgabe sind keine zusätzlichen Add-Ons erforderlich.
Unter der Haube stecken Kerntechnologien, die die Qualität der Beschichtung absolut stabil halten: automatische Säuremischung, Vakuum-/Gasmodule und automatische Hebeanodensysteme. Und wenn Sie Ihren Prozess noch weiter optimieren möchten? Entscheiden Sie sich für die Funktion zur Galvanisierungslösungsanalyse (EC1)-, die sich perfekt für die Optimierung und die Aufrechterhaltung gleichbleibender Erträge eignet.

 

Merkmale & CKonfigurationen

  • Maximal 3 Ladeanschlüsse
  • Maximal 24 Galvanisierungskammern: Cu, Ni, Sn/Ag, Au
  • Maximal 4 Vorfeuchtkammern, 4 SRD-Kammern
  • Brunnenartiges Galvanisierungszellendesign, kein Kreuzkontaminationsrisiko
  • Modul-PM-Design, hohe Werkzeugverfügbarkeit
  • Dichtungstechnologie, gute Dichtungsleistung
  • Katholyt/Anolyt-Trenntechnologie, gute Lösungsstabilität

 

Anwendungen

 

01/

Kerngebiet:Halbleiter-Frontend-Fertigung (Wafer-Fertigung).

02/

Schlüsselprozess:Doppelte Damaszener-Kupferverbindungsgalvanisierung für 12-Zoll-Wafer (angewandt in 90/65/55/40/28-nm-Technologieknoten, Bildung leitfähiger Kupferleitungen in Chipstrukturen).

 

Parameter

 

Spezifikation

Einzelheiten

Wafergröße

12 Zoll

Zieltechnologieknoten

90/65/55/40/28 nm

Kernprozess

Doppelte Damaszener-Kupfer-Verbindungsgalvanisierung

Gerätekonfiguration

-3 Ladeports
-4 Beschichtungskammern
-4 Reinigungskammern (EBR)
-8 Glühkammern
-2 separate Bad-Sanitärsysteme

Schlüsselsysteme

- Automatisches Säuremischsystem
-Vakuum/GAS-Modul
- Automatisches Hubanodensystem
- Temperaturregelung der Galvanisierungslösung (2 Kühler)

Optionale Funktion

Analyse der Beschichtungslösung EC1

Anwendungsbereich

Halbleiter-Frontend-Fertigung

 

FAQ

 

Welche Wafergröße unterstützt dieses Gerät?

Es ist ausschließlich für 12-Zoll-Halbleiterwafer (300 mm) konzipiert.

Mit welchen Chip-Technologie-Knoten ist es kompatibel?

Es unterstützt Dual-Damascene-Kupferverbindungsprozesse für 90/65/55/40/28-nm-Technologieknoten.

Welche Kernprozesse werden abgewickelt?

Es integriert Kupfergalvanisierung, Kantenentlackung (EBR-Reinigung) und Glühen in einem einzigen System.

Verfügt es über ein unabhängiges Lösungsmanagement?

Ja-ausgestattet mit 2 separaten Badinstallationssystemen, um die Stabilität der Beschichtungslösung zu gewährleisten.

Kann die Qualität der Beschichtungslösung überwacht werden?

Für die Lösungsüberwachung in Echtzeit ist ein optionales EC1-Modul zur Beschichtungslösungsanalyse verfügbar.

Wie viele Wafer kann es effizient verarbeiten?

Mit 3 Ladeanschlüssen und integrierten Prozesskammern unterstützt es Front-End-Fertigungsabläufe mit hohem-Durchsatz-.

 

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