Produktübersicht
Die Anlage zum Nassätzen von Einzelwafern ist eine automatisierte Nassbearbeitungsplattform für Einzelwafer, die für Anwendungen zum Nassätzen von Halbleitern entwickelt wurde. Das System unterstützt verschiedene Ätzprozesse für dielektrische Schichten, Metallfilme und Verbindungshalbleitermaterialien.
Mit mehreren Sprüharmen und speziellen Düsen ermöglicht das Gerät eine präzise Dosierung der Chemikalien auf einzelne Wafer. Es erreicht eine hervorragende Ätzgleichmäßigkeit durch unabhängige Fluss-, Temperatur- und Zeitsteuerung für jeden Wafer. Es stehen mehrere Kammeroptionen zur Verfügung, um den Anforderungen von F&E-Prototyping und Großserienfertigung gerecht zu werden. Das Gerät unterstützt Nano Spray, IPAN2 Dry und andere fortschrittliche Trocknungstechnologien. Es eignet sich für verschiedene Wafergrößen und verarbeitet Substrate wie Si, SiC, GaAs und InP. Das optimierte Kammerdesign garantiert eine hervorragende Partikelleistung und Hohlraumreinheit.
Vorteile
Überlegene Ätzgleichmäßigkeit
Die unabhängige Prozesssteuerung für einzelne Wafer gewährleistet eine Gleichmäßigkeit der dielektrischen Ätzung von < 5 % und eine Gleichmäßigkeit der Metallätzung von < 5 % und sorgt so für konsistente Prozessergebnisse über den gesamten Wafer.
Hervorragende Partikelleistung
Der optimierte Luftstrom in der Kammer und das Design der Flüssigkeitszufuhr halten die Partikelanzahl unter 10ea@0,2 μm, wodurch Waferdefekte effektiv reduziert und eine Produktion mit hoher Ausbeute unterstützt werden.
Multi-Prozess- und Multi-Substratkompatibilität
Unterstützt Silizium-basierte und Verbindungshalbleitersubstrate, einschließlich Si, SiC, GaAs, InP. Geeignet für dielektrisches SiOx/SiNx-Ätzen und verschiedene Metallätzprozesse. Mehrere Chemikalien können in einer Kammer mit unabhängiger Zirkulation und Rückgewinnung betrieben werden. Bis zu 4 verschiedene Chemikalien werden in derselben Kammer unterstützt.
Modulares und skalierbares Kammerdesign
Die modulare Kammerkonfiguration reicht von 2-8 Kammern (optional). Kunden können zwischen einer kompakten Konfiguration für den Laborgebrauch oder einer Konfiguration mit hoher-Kapazität für die Massenproduktion wählen. Die Waferkompatibilität mit mehreren -Größen reduziert die Ausrüstungsinvestitionen für Projekte mit gemischten Materialien.
Anwendungen
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Fortschrittliche Verpackung
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MEMS-Geräte
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Leistungshalbleitergeräte
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Integrierte HF-Schaltkreise
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Halbleiteroptik
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Optische Kommunikationskomponenten
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Wissenschaftliche Forschungs- und Institutslabore
Parameter
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Artikel |
Spezifikation |
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Modell |
AEH-Serie |
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Prozessfunktion |
Dielektrisches Ätzen, Metallätzen (SiOx/SiNx, Cu, Ti, Au, Cr, Ni, ITO/IGZO usw.) |
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Unterstützte Substrate |
Si, SiC, GaAs, InP |
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Kammerkonfiguration |
2–8 Kammern (optional) |
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Gleichmäßigkeit der dielektrischen Ätzung |
＜5% |
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Gleichmäßigkeit der Metallätzung |
＜5% |
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Partikelkontrolle |
<10ea@0,2 μm |
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Verfügbare Trocknungstechnologie |
Nanospray, IPAN2 trocken |
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Verarbeitungsmodus |
Automatische Verarbeitung einzelner-Wafer |
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Chemisches System |
Unterstützt bis zu vier Arten von Chemikalien in einer Kammer mit unabhängiger Zirkulationsrückgewinnung |
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Dimension (3-Kammer) |
2230 × 1980 × 2450 mm (B×T×H) |
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Dimension (6-Kammer) |
3040 × 1980 × 2760 mm (B×T×H) |
FAQ
FAQ
F: Welche Materialien können mit dieser Nassätzanlage für einzelne Wafer geätzt werden?
A: Es unterstützt dielektrisches Ätzen für SiOx, SiNx; Metallätzen für Cu, Ti, Au, Cr, Ni; und transparentes leitfähiges Filmätzen für ITO, IGZO. Es funktioniert auf Si-, SiC-, GaAs- und InP-Substraten. Bitte stellen Sie Ihren Zielfilm und Ihr Substrat für die Rezeptentwicklung bereit.
F: Was ist der Unterschied zwischen dem Nassätzen einzelner Wafer und dem Batch-Nassätzen?
A: Das Einzelwafer-Werkzeug verarbeitet Wafer einzeln. Für eine bessere Gleichmäßigkeit innerhalb des Wafers verfügt jeder Wafer über eine unabhängige Kontrolle über das chemische Volumen, die Temperatur und die Ätzzeit. Batch-Tools verarbeiten mehrere Wafer zusammen. Einzelwafer-Geräte eignen sich besser für hochpräzise Verbindungshalbleiter mit hoher Ausbeute und fortschrittliche Verpackungsprojekte.
F: Können mehrere Chemikalien in einer Kammer verwendet werden?
A: Ja. Das Gerät unterstützt bis zu 4 verschiedene Chemikalien in einer Kammer. Jede Chemikalie läuft mit einem unabhängigen Zirkulations- und Rückgewinnungskreislauf, um Kreuzkontaminationen zu vermeiden.
F: Welche Trocknungstechnologien stehen zur Verfügung?
A: Nanospray und IPAN2 Dry sind optional. Diese fortschrittlichen Trocknungsmethoden reduzieren wirksam Wasserfleckfehler, was für die Herstellung von Verbindungshalbleitern und optischen Geräten von entscheidender Bedeutung ist.
F: Kann die Ausrüstung unterschiedliche Wafergrößen verarbeiten?
A: Ja. Die Maschine unterstützt die Kompatibilität von Wafern verschiedener Größen. Beim Wechsel zwischen qualifizierten Wafergrößen sind keine größeren Hardware-Änderungen erforderlich.
F: Ist eine Laborkonfiguration für kleine Mengen verfügbar?
A: Ja. Die Kammeranzahl ist von 2 bis 8 konfigurierbar. Konfigurationen mit geringerer Kammeranzahl eignen sich für Forschung und Entwicklung, während Versionen mit hoher Kammeranzahl auf Massenproduktionslinien abzielen.
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