Produktübersicht
Single-Physical Scrubber Equipment ist eine automatisierte Plattform für die physikalische Reinigung einzelner-Wafer für die Halbleiterfertigung. Es ermöglicht eine hocheffiziente Partikelentfernung durch physikalische Reinigung in Kombination mit chemischer Unterstützung.
Diese Ausrüstung wird häufig für die Reinigung eingehender Wafer, die Reinigung nach{0}}CMP, die Reinigung nach-Markierung, die Rückseitenreinigung und die Entfernung von Fotolackrückständen eingesetzt. Dank der stabilen Abwärtsströmung in den Kammern sorgt es für eine hervorragende statische und dynamische Reinheitsumgebung. Mehrere Sprüharme und feste Düsen unterstützen gemischte Sprühmodi. Die Gas-{5}}Flüssigkeitstrennstruktur trennt organische Lösungsmittelabfälle und entionisiertes Wasser. Eine modulare Kammerkonfiguration aus 2-8 Kammern ist optional. Es unterstützt Substrate unterschiedlicher Größe, darunter Si, SiC, Glas, GaAs, InP, Saphir, LN und LT, und deckt sowohl F&E-Pilot- als auch Massenproduktionsszenarien ab.
Vorteile
Hervorragende Fähigkeit zur Partikelentfernung
Erreicht eine Partikelkontrolle von weniger als oder gleich 10ea@0,1 μm. Entfernt effizient Mikropartikel, Staub und Oberflächenrückstände durch physikalisches Schrubben und erfüllt so die strengen Sauberkeitsanforderungen für High-End-Halbleitergeräte.
Zuverlässige Kontrolle der Kammerumgebung
Ein stabiler vertikaler Abwärtsfluss unterdrückt die erneute Adsorption von Partikeln auf der Waferoberfläche. Der Mechanismus zur Gas-Flüssigkeitstrennung verhindert eine Kreuz-Vermischung verschiedener Abfallflüssigkeiten, verringert das Risiko von Rohrleitungskorrosion und vereinfacht die Abwasseraufbereitung.
Vielfältige Sprühkombination
Mehrere Sprüharme ermöglichen zusammen mit festen Sprühdüsen flexible Kombinationen der Sprühmodi. Das physikalische Schrubben kann mit verschiedenen chemischen Sprays kombiniert werden, um die Reinigungsleistung für verschiedene Kontaminationsarten zu optimieren.
Modulares und skalierbares Layout
Optionale 2-8-Kammer-Konfigurationen. Kompakte Aufbauten eignen sich für Laborforschung und Kleinserienversuche, während Konfigurationen mit hoher{4}Kammeranzahl-den hohen{6}Durchsatzanforderungen der Massenproduktion genügen.
Anwendungen
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Fortschrittliche Verpackung
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MEMS-Geräte
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Leistungshalbleitergeräte
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Integrierte HF-Schaltkreise
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Halbleiteroptik
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Optische Kommunikationskomponenten
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Herstellung von Fotomasken
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Laboratorien von Universitäten und Forschungsinstituten
Parameter
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Artikel |
Spezifikation |
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Prozessfunktion |
Eingangsreinigung, Reinigung nach{0}}CMP, Reinigung nach-Markierung, Reinigung der Rückseite, Reinigung von Fotolackrückständen |
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Unterstützte Substrate |
Si, SiC, Glas, GaAs, InP, Saphir, LN, LT |
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Kammerkonfiguration |
2–8 Kammern (optional) |
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Partikelkontrolle |
Kleiner oder gleich 10ea@0,1 μm |
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Metallionenkontamination |
5E9 Atome/cm² |
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Kerndesign |
Stabile Abwärtsströmungsumgebung, Gas-{0}}Flüssigkeitstrennstruktur, Multi-{1}Modus-Sprühsystem |
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Verarbeitungsmodus |
Automatische, physikalische Schrubbreinigung einzelner-Wafer |
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Dimension (2-4 Kammern) |
2139 × 1986 × 2519 mm (B×T×H) |
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Dimension (8 Kammern) |
2400 × 3704 × 2950 mm (B×T×H) |
FAQ
F: Welche Reinigungsaufgaben kann diese chemische Reinigungsanlage für einzelne Wafer erledigen?
A: Es übernimmt die Reinigung von Substraten und Epitaxieschichten, die Entfernung von Fotolacken, die Entfernung von Oxidschichten und andere standardmäßige Nassreinigungsabläufe für Halbleiter. Es wird häufig vor und nach Lithografie-, Ätz- und Dünnschichtabscheidungsprozessen eingesetzt. Bitte geben Sie für die Rezepturabstimmung Ihr Substratmaterial und die Art der Verunreinigung an.
F: Was ist der Vorteil des Gas-Flüssigkeits-Trennmechanismus?
A: Es trennt organische chemische Abfälle und DI-Wasserabflussströme. Es vermeidet eine Quervermischung von Chemikalien in der Abfallleitung, reduziert die Korrosion der Rohrleitung und erleichtert die anschließende Behandlung von Abfallflüssigkeiten.
F: Was bewirkt die Auto Clean-Funktion?
A: Auto Clean ist eine intelligente Selbstreinigungsfunktion der Kammer. Es unterstützt die Hochtemperatur-SPM-Reinigung des Kammerinneren, reduziert die Partikelansammlung in Hohlräumen und verringert die PM-Wartungshäufigkeit.
F: Kann die Maschine unterschiedliche Wafergrößen verarbeiten?
A: Ja. Die Plattform ist auf Waferkompatibilität mit mehreren Größen ausgelegt. Der Wechsel zwischen qualifizierten Wafergrößen erfordert keine groß angelegten Hardwaremodifikationen.
F: Was ist der Unterschied zwischen der chemischen Reinigung einzelner Wafer und der Chargenreinigung?
A: Bei der Einzelwaferreinigung wird jeder Wafer unabhängig behandelt, wobei die chemische Dosierung, Temperatur und Prozesszeit präzise kontrolliert werden. Es erreicht eine überlegene Partikel- und Metallionenleistung, die für Verbindungshalbleiter, optische Chips und High-End-Geräte mit strengen Sauberkeitsanforderungen geeignet ist. Die Batch-Reinigung verarbeitet mehrere Wafer zusammen und ist für die Produktion von Standard-Siliziumwafern in großen Mengen kostengünstiger.
F: Kann ich für den Laborgebrauch eine Version mit kleiner Kammer wählen?
A: Ja. Die Kammeranzahl kann zwischen 2 und 8 gewählt werden. Konfigurationen mit geringer Kammeranzahl eignen sich für Forschung und Entwicklung sowie für die Produktion von Kleinserienversuchen, während Versionen mit höherer Kammeranzahl für Massenproduktionslinien gedacht sind.
F: Für welche Reinigungsszenarien ist der physikalische Wäscher geeignet?
A: Es wird hauptsächlich für die Reinigung des eingehenden Materials, die Reinigung nach dem CMP, die Reinigung nach der Markierung, die Reinigung der Waferrückseite und die Entfernung von Fotolackrückständen verwendet. Der Schwerpunkt liegt auf der physikalischen Entfernung von oberflächlichen Mikropartikeln. Bitte geben Sie zur Rezeptoptimierung Informationen zum Substratmaterial und zur Kontamination an.
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