H/He-Ionenimplanter

H/He-Ionenimplanter

Das Ionenimplantationssystem ist ein Schlüsselelement der Prozessausrüstung für die Halbleiterfertigung und die Entwicklung fortschrittlicher Materialien. Es wird häufig bei der Herstellung integrierter Schaltkreise, der Verarbeitung von Verbindungshalbleitern und der Modifizierung funktioneller Materialien eingesetzt.
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Beschreibung

Produktübersicht

 

HII 100 ist ein spezialisierter H/He-Ionenimplantierer. Es wurde speziell für die Implantation von Wasserstoff- und Heliumionen entwickelt, insbesondere für die Implantation elektrostatischer{3}empfindlicher Isoliermaterialien und die Schichtspaltungstechnologie. Dank der Batch-Implantationsarchitektur unterstützt das Gerät die Implantation mit hoher-Energie und hoher-Dosis. Es ist mit einer doppelseitigen Plasmaduschfunktion ausgestattet, um Ladungsansammlungen und elektrostatische Schäden auf Wafern effektiv zu mindern. Dieses Tool dient der Herstellung von Verbundhalbleitern, dem SOI-Material-Lift-, der Materialmodifikation sowie den damit verbundenen F&E- und Pilotproduktionsanforderungen für 4-Zoll- und 6-Zoll-Wafer.

 

Vorteile

 

1. Doppelseitiges Plasmaduschsystem: Unterdrückt effektiv Schäden durch elektrostatische Aufladung und eignet sich hervorragend für die Implantation elektrostatisch empfindlicher Isoliersubstrate.

2. Batch-Implantation mit hoher-Energie und hoher-Dosis: Unterstützt die Batch-Wafer-Verarbeitung mit hoher Maximalenergie und großer Dosisfähigkeit und verbessert den Durchsatz für Layer-{3}Transfer- und Aufteilungsprozesse.

3. Optimiert für H/He-dominante Implantation: Das Strahlleitungssystem ist auf Wasserstoff- und Heliumionen abgestimmt; auch kompatibel mit B, Ar und anderen Hilfsimplantatarten für vielfältige Prozessanforderungen.

4. Kontrollierbare Prozesstemperatur: Stabile Wafer-Temperaturkontrolle innerhalb von RT-200 Grad, um thermische Einschränkungen spezieller Materialien zu erfüllen.

Robuste Strahlstabilität: Zuverlässiges Design der Ionenquelle und des Strahltransports garantieren Langzeitstabilität für Materialforschung und Pilotserienproduktion.

 

Anwendungen

 

Materialabhebung/Schichtaufteilung für SOI und ähnliche Smart-{1}Cut-Technologien

Implantation für isolierende und elektrostatisch empfindliche Materialien

Modifizierung des zusammengesetzten-Halbleitermaterials

Wissenschaftliche Forschung, Entwicklung neuer-Materialien und Pilotproduktion

 

Parameter

 

Artikel

Spezifikation

Wafergröße

6 Zoll, 4 Zoll

Energiereichweite (einzelne-Ladung)

30-400 keV

Implantatarten

H, Er, B, Ar

Wafertemperatur verarbeiten

RT-200 Grad

 

FAQ

 

F: Was ist das Hauptmerkmal des HII 100 im Vergleich zu Allzweckimplantaten?

A: Das wichtigste Highlight ist die doppelseitige Plasmaduschenfunktion, die das Risiko elektrostatischer Schäden an isolierenden und ladungsempfindlichen Wafern beseitigt. Es ist für die hochdosierte H/He-Chargenimplantation für Materialspaltungsprozesse optimiert.

F: Für welche typischen Prozesse wird HII 100 hauptsächlich verwendet?

A: Es wird häufig für die H/He-induzierte Schichtspaltung (Smart Cut), die Ionenimplantation von Isoliermaterial und die Materialmodifikation von Verbindungshalbleitern eingesetzt. Es eignet sich sowohl für die Forschung im Labormaßstab als auch für die Pilotproduktion in kleinen Chargen.

F: Welche Wafergrößen kann HII 100 verarbeiten?

A: Standardunterstützung für 4-Zoll- und 6-Zoll-Wafer. Für spezielle Kleinteile können auf Anfrage kundenspezifische Probenhalter in Betracht gezogen werden.

F: Kann HII 100 andere Ionen als H und He implantieren?

A: Ja. Neben H und He unterstützt es B und Ar für Hilfsimplantationsprozesse.

F: Was ist der Arbeitstemperaturbereich während der Implantation?

A: Die Prozesswafertemperatur reicht von Raumtemperatur bis zu 200 Grad und entspricht den Anforderungen an wärmeempfindliche Substrate.

F: Kann HII 100 mit anderen SEMICORE ZKX-Implantatoren zusammenarbeiten?

A: Ja. Es kann mit speziellen SiC-Implantierern, multifunktionalen kundenspezifischen Implantierern und Plattformen der Serien CIP/CIC/CIE in Produktionsqualität zusammenarbeiten. Es kann die Vorforschung spezieller Materialrezepte vor Massenproduktionsversuchen abschließen.

F: Welche Kundendienste sind verfügbar?

A: Wir bieten Ersatzteilversorgung, Installation und Inbetriebnahme vor Ort, routinemäßige Wartung und technischen Support für das Debuggen spezieller Prozessrezepte.

 

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