Produktübersicht
Unsere Kohlenstofffilm-Sputter-Ausrüstung ist ein spezielles System, das für die Abscheidung von Hochtemperatur-Kohlenstofffilm-Schutzschichten auf SiC-Geräten entwickelt wurde. Es nutzt eine Cluster-Architektur, die mit mehreren Prozesskammern konfiguriert werden kann, und verfügt über eine automatische Be- und Entladung der Wafer. Durch die Anwendung der DLC-Filmtechnologie (diamantähnlicher Kohlenstoff) wird die Oberflächenkreidung auf SiC-Wafern während des Hochtemperaturglühens wirksam verhindert und ein stabiler und zuverlässiger Oberflächenschutz gewährleistet.
Vorteile
Das Cluster-Design unterstützt mehrere Prozesskammern, was eine flexible Skalierung für unterschiedliche Chargengrößen ermöglicht und die Gesamtproduktionseffizienz steigert.
Das automatische Be- und Entladen reduziert manuelle Eingriffe, verbessert die Wiederholbarkeit des Prozesses und unterstützt die kontinuierliche Stapelverarbeitung.
Der DLC-Filmprozess unterdrückt effektiv das Auskreiden der SiC-Waferoberfläche, bewahrt die Oberflächenqualität und verbessert die Geräteleistung und -zuverlässigkeit.
Die Sputterkammer erreicht ein Endvakuum von weniger als oder gleich 6E-5 Pa und die Gleichmäßigkeit der Filmdicke wird auf ±5 % kontrolliert, wodurch konsistente, hochwertige Beschichtungen gewährleistet werden.
Durch die Kompatibilität mit 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern ist das System an verschiedene Produktionslinien und Prozessanforderungen anpassbar.
Anwendungen
Diese Ausrüstung wird hauptsächlich bei der Vorbereitung von Kohlenstofffilm-Schutzschichten für SiC-Geräte verwendet, insbesondere bei Hochtemperatur-Glühprozessen. Es unterstützt sowohl 6-Zoll- als auch 8-Zoll-SiC-Wafer und eignet sich daher für Forschung und Entwicklung sowie die Massenproduktion von Halbleitergeräten der dritten Generation wie SiC-Leistungsgeräten, HF-Geräten und anderen elektronischen Komponenten auf SiC-Basis.
FAQ
F: 1. Wofür werden Kohlenstofffilm-Sputtergeräte verwendet?
A: Es wird verwendet, um Hochtemperatur-Kohlenstofffilm-Schutzschichten auf SiC-Geräten abzuscheiden, insbesondere während des Hochtemperatur-Glühens, um ein Auskreiden der Oberfläche zu verhindern.
F: 2. Was sind die Hauptvorteile dieser Ausrüstung?
A: Es verfügt über ein Cluster-Design, automatisches Laden/Entladen, DLC-Filmtechnologie, hohe Vakuumleistung und eine gute Gleichmäßigkeit der Dicke.
F: 3. Welche Wafergrößen werden unterstützt?
A: Dieses Gerät unterstützt 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Wafer für die Halbleiterfertigung und Forschung und Entwicklung.
F: 4. Kann es das Auskreiden der SiC-Wafer-Oberfläche verhindern?
A: Ja, der DLC-Filmprozess unterdrückt wirksam die Kreidung während des Temperns bei hohen Temperaturen und schützt die Waferqualität.
F: 5. Wie präzise ist der Beschichtungsprozess?
A: Die Sputterkammer erreicht ein Vakuum von höchstens 6E-5Pa und die Gleichmäßigkeit der Filmdicke wird innerhalb von ±5 % kontrolliert.
F: 6. Ist es für die Massenproduktion geeignet?
A: Ja, die Clusterstruktur und die automatische Handhabung machen es ideal sowohl für Forschung und Entwicklung als auch für die Produktion von SiC-Geräten im großen Maßstab.
F: 7. Wo wird dieses Gerät üblicherweise eingesetzt?
A: Es wird häufig in Halbleitern der dritten -Generation für SiC-Leistungsgeräte, HF-Geräte und zugehörige elektronische Komponenten verwendet.
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