Produktübersicht
Dieses Magnetron-Sputtersystem ist für die Abscheidung dünner Metallschichten in der Halbleiterfertigung konzipiert. Es wird häufig in integrierten Schaltkreisen, Leistungsgeräten und fortschrittlichen Verpackungen verwendet. Das System unterstützt 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafer und liefert ein stabiles, wiederholbares Dünnschichtwachstum sowohl für Forschung und Entwicklung als auch für die Massenproduktion.
Vorteile
1. Der Cluster-Stil und das modulare Design erleichtern die Konfiguration und Erweiterung für unterschiedliche Prozessanforderungen.
2. Das vollautomatische Wafer-Handling mit kompletten Zusatzfunktionen sorgt für einen stabilen Betrieb und reduziert manuelle Eingriffe.
3. Das Einzelkammer-Einzelziel-Layout unterstützt parallele und synchrone Prozesse und verbessert so die Gesamteffizienz.
4. Eine hohe Vakuumleistung bis zu ~6E 6 Pa und ein gleichmäßiger Flächenwiderstand von höchstens 3 % sorgen für eine gleichbleibende Filmqualität auf allen Wafern.
Anwendungen
1. Integrierte Schaltkreise: werden zum Aufbringen von Metallverbindungen, Elektroden und Barriereschichten in Front-End- und Back-End-Prozessen verwendet.
2. Leistungsgeräte: Unterstützt die Bildung von Metallfilmen für Elektroden, Metallisierung und Passivierung in Hochspannungs- und Hochleistungskomponenten.
3. Fortschrittliche Verpackung: Bietet zuverlässige Metallisierung für Umverteilungsschichten (RDL), Bumping und andere Verpackungsverbindungsstrukturen.
FAQ
F: Wofür wird dieses Magnetron-Sputtersystem eigentlich verwendet?
A: Es handelt sich um ein -Dünnschichtabscheidungsgerät-, das hauptsächlich zum Aufbringen von Metallschichten in der Halbleiterfertigung dient. Denken Sie an integrierte Schaltkreise, Leistungsgeräte und fortschrittliche Verpackungsprozesse-das sind die Hauptanwendungsfälle.
F: Welche Wafergrößen kann es verarbeiten?
A: Im Moment funktioniert es mit 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern. Perfekt sowohl für Forschungs- und Entwicklungsarbeiten im Labor als auch für groß angelegte Produktionslinien.
F: Wie niedrig kann das Vakuumniveau sein?
A: Wir gehen von einem Prozessvakuum von etwa 6E-6 Pa aus. Das ist entscheidend, um qualitativ hochwertige, gleichmäßig dünne Filme zu erhalten.
F: Wie konsistent ist die Filmeinheitlichkeit?
A: Die Gleichmäßigkeit des Schichtwiderstands liegt bei weniger als oder gleich 3 %-so dass Sie keine großen Unterschiede zwischen den Wafern feststellen werden, was für eine zuverlässige Geräteleistung von entscheidender Bedeutung ist.
F: Was zeichnet dieses System im täglichen Gebrauch aus?
A: Es sind die kleinen Dinge, die sich summieren: modulares Design im Cluster--Stil (sehr flexibel für benutzerdefinierte Konfigurationen), vollautomatische Wafer-Handhabung (reduziert manuelle Arbeit) und Ein-{1}}Kammer-Einzel--Ziel-Layout (lässt Prozesse parallel ablaufen, was die Effizienz steigert).
F: Ist es für anspruchsvolle Verpackungsanwendungen geeignet?
A: Absolut. Es wird häufig für die Metallisierung in fortschrittlichen Verpackungen-Dingen wie RDL (Umverteilungsschichten), Bumping und anderen Verbindungsstrukturen verwendet, die zuverlässige Metallfilme erfordern.
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