Produktübersicht
UHB 100 ist ein Hochleistungs--Hochenergie-Ionenimplantierer. Es ist für Deep-{4}Junction-Dotierprozesse für die fortgeschrittene Halbleiterfertigung konzipiert. Die Maschine verfügt über eine hohe Beschleunigungsenergie von bis zu 8 MeV für einzelne-geladene Ionen und verfügt über eine Einzel-Wafer-Implantationsarchitektur. Es bietet herausragende Systemstabilität, präzise Parametersteuerung, hervorragende Implantationsgleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit und unterstützt eine breite Prozessabdeckung für Logik-, Speicher-, Bildgebungs- und Leistungsgeräte.
Vorteile
Fähigkeit zur extrem hohen Strahlenergie: Die Energie einzelner-Ladungen übersteigt 1 MeV, die maximale Energie erreicht 8 MeV und unterstützt tiefe -Well- und retrograde-Well-Implantationsprozesse.
Hochleistungs-Ionenquelle mit langer-Lebensdauer: Das optimierte Design der Ionenquelle- gewährleistet eine stabile Leistung unter Beschleunigungsbedingungen auf MeV{3}}-Niveau und reduziert Ausfallzeiten für die Quellenwartung.
Hohe Energiereinheit und Strahlübertragungseffizienz: Das fortschrittliche optische Strahlliniendesign verbessert die Strahlübertragungseffizienz und unterdrückt Energieverunreinigungen für hochwertige Implantationsprofile.
Hervorragende Prozessgenauigkeit: Hervorragende Dosisgleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit über den gesamten Dosisbereich hinweg, wodurch die strengen Anforderungen der Massenproduktion moderner -Knoten erfüllt werden.
Auf die Einzel-Wafer-Produktion-orientierte Architektur: Das Design der Einzel-Wafer-Implantation ermöglicht einen flexiblen Rezeptwechsel und eignet sich für die Massenproduktion gemischter-Produkte-in Fabriken.
Anwendungen
UHB 100 unterstützt die hoch-tiefe-Übergangsimplantation für gängige Halbleiterchips:
LOGIK, DRAM, 3D NAND, NOR Flash
CMOS-, MOSFET-, IGBT- und BCD-Leistungsgeräte
Herstellung von CIS-, MEMS- und anderen bildgebenden-Halbleitergeräten
Parameter
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Artikel |
Spezifikation |
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Energiebereich |
20 keV-8 MeV |
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Max. Strahlstrom |
B⁺: Größer oder gleich 1000 μA bei 1 MeV |
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Dosisbereich |
1E11-5E15 Ionen/cm² |
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Dosisgleichmäßigkeit (1σ) |
1E11-5E11 Ionen/cm²: Weniger als oder gleich 1 %;5E11-5E15 Ionen/cm²: Weniger als oder gleich 0,5 % |
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Dosiswiederholbarkeit (1σ) |
1E11-5E11 Ionen/cm²: Weniger als oder gleich 1 %;5E11-5E15 Ionen/cm²: Weniger als oder gleich 0,5 % |
FAQ
F: Was ist das Kernanwendungsszenario für UHB 100?
A: UHB 100 wird hauptsächlich für die hochenergetische Dotierung tiefer Übergänge wie retrograde Wannen- und Tiefenwannenimplantation für Logikchips, Speicherchips und Leistungshalbleiterbauelemente verwendet. Es behandelt wichtige Hochenergieimplantationsschritte für die fortgeschrittene Knotenherstellung.
F: Wie hoch ist die maximale Beschleunigungsenergie des UHB 100?
A: Die maximale Energie erreicht 8 MeV für Einzelladungsionen und eine stabile Strahlstromabgabe kann bei Energien über 1 MeV erreicht werden.
F: Wie sieht es mit der Leistung der Dosiskontrolle aus?
A: Für den Dosisbereich 1E11 5E11 Ionen/cm², 1σ Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit kleiner oder gleich 1 %; für 5E11 5E15 Ionen/cm², 1σ Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit kleiner oder gleich 0,5 %, was den strengen Massenproduktionsanforderungen für IC-Fabriken entspricht.
F: Kann UHB 100 mit anderen SEMICORE-Implantierern in einer Produktionslinie zusammenarbeiten?
A: Ja. UHB 100 kann in Mittelstrom-Implantierer der CIP-Serie und Hochstrom-Implantierer der CIC-Serie integriert werden, um eine komplette häusliche Ionenimplantationslösung für Prozesse mit niedriger, mittlerer und hoher Energie zu schaffen.
F: Welche Serviceunterstützung kann bereitgestellt werden?
A: SEMICORE ZKX bietet eine komplette Ersatzteilversorgung, jährliche Wartung, Fab-Move-In-Service, Geräteüberholung, technischen Support vor Ort und Prozessrezeptoptimierung für die Inbetriebnahme der Produktionslinie.
F: Ist UHB 100 für die 28-nm-Massenproduktion geeignet?
A: Ja. UHB 100 wurde für Massenproduktionsprozesse bis hinunter zu 28-nm-Knoten für inländische Großproduktionslinien für integrierte Schaltkreise verifiziert.
Beliebte label: Hochenergie-Ionenimplantierer, Hersteller und Lieferanten von Hochenergie-Ionenimplantatoren in China
