Niedrigenergie-Hochstrom-Ionenimplanter

Niedrigenergie-Hochstrom-Ionenimplanter

LEII-100 ist ein Hochleistungs--Ionenimplantierer mit niedriger-Energie und hohem-Strom. Optimiert für Dotierprozesse mit niedriger -hoher Dosis-für die fortschrittliche Halbleiterfertigung. Die Maschine verfügt über einen breiten Energiebereich mit hervorragender Leistung im Niedrigenergiebereich. Es erfüllt streng die Anforderungen moderner Prozesse in Bezug auf Energiekontrolle, Partikelleistung und Unterdrückung von Metallverunreinigungen. Ausgestattet mit hocheffizienten Wafer-Transport- und Scan-Subsystemen liefert LEII-100 hohe WPH (Wafer pro Stunde) für die Massenproduktion von 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafern. Es wurde in inländischen IC-Großfabriken eingesetzt und unterstützt Massenproduktionsprozesse bis hin zu 28-nm-Knoten.
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Beschreibung

Produktübersicht

 

LEII-100 ist ein Hochleistungs--Ionenimplantierer mit niedriger-Energie und hohem-Strom. Optimiert für Dotierprozesse mit niedriger -hoher Dosis-für die fortschrittliche Halbleiterfertigung. Die Maschine verfügt über einen breiten Energiebereich mit hervorragender Leistung im Niedrigenergiebereich. Es erfüllt streng die Anforderungen moderner Prozesse in Bezug auf Energiekontrolle, Partikelleistung und Unterdrückung von Metallverunreinigungen. Ausgestattet mit hocheffizienten Wafer-Transport- und Scan-Subsystemen liefert LEII-100 hohe WPH (Wafer pro Stunde) für die Massenproduktion von 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafern. Es wurde in inländischen IC-Großfabriken eingesetzt und unterstützt Massenproduktionsprozesse bis hin zu 28-nm-Knoten.

 

Vorteile

 

Hervorragende Strahlleistung bei niedriger Energie: Optimiert für Betriebsbedingungen bei niedriger Energie, stabile Strahlübertragung bei extrem niedriger Energie. Die energiebedingte Kontamination wird auf unter 0,05 % kontrolliert, um den erweiterten Knotenanforderungen gerecht zu werden.

Hoher Durchsatz: Verwendet ein hoch{0}effizientes Wafer-Übertragungs- und Scansystem, um eine hohe Arbeitsleistung pro Stunde für die Fabrikproduktion mit hohem{1}}Volumen zu erreichen.

Umfassende Prozessabdeckung-: Unterstützt mehrere Implantatarten und ein breites Dosisfenster und deckt gängige Dotierungsrezepte für Logik-, Speicher- und Leistungsgeräte ab.

Hervorragende Partikel- und Metallkontaminationskontrolle: Strikte Partikelunterdrückung und Design zur Reduzierung von Metallkontaminationen garantieren eine Waferausbeute.

Fab-orientierte Zuverlässigkeit: Konzipiert für die kontinuierliche Massenproduktion, liefert stabile Leistung für den 24/7-Fabrikbetrieb.

 

Anwendungen

 

LEII-100 wird häufig für die Ionenimplantation in gängigen Halbleiterbauelementen verwendet:

LOGIK, DRAM, 3D NAND, NOR Flash

CMOS, MOSFET, IGBT, BCD

CIS, MEMS und andere verwandte Chipherstellungsszenarien

 

Parameter

 

Artikel

Spezifikation

Energiebereich

200 eV-60/80 keV

Wafergröße

12 Zoll, 8 Zoll

Max. Strahlstrom

B⁺:16 mA; As⁺:25 mA; P⁺:25 mA

Implantatarten

B, P, As, F, C, Si, Ge, N, Ar, H, He

Dosisbereich

2E13-1E17 Ionen/cm²

Einheitliche Dosis

Energy >3 keV: 1σ< 1%; Energy < 3 keV: 1σ < 1%

Wiederholbarkeit der Dosis

Energy >10 keV: 1σ< 0.7%; Energy < 10 keV: 1σ < 1.0%

Energieverschmutzung

< 0.05%

 

FAQ

 

F: Welche Wafergrößen und Hauptgeräteknoten unterstützt LEII 100?

A: Es werden 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafer unterstützt. Es eignet sich für Massenproduktionsprozesse bis hinunter zu 28 nm und eignet sich für die Massenfertigung von Logik-, Speicher- und Leistungsgeräten.

F: Wie groß ist die Kernstärke des LEII 100 im Vergleich zu anderen Hochstromimplantaten?

A: Sein Hauptvorteil liegt in der überlegenen Strahlleistung bei niedriger Energie. Es gewährleistet einen hohen Strahlstrom und eine geringe Kontamination bei extrem niedriger Energie (bis zu 200 eV) sowie einen hohen Durchsatz über ein optimiertes Transport-Scansystem für hochdosierte Massenproduktionsdotierung.

F: Welche Ionenart kann LEII 100 implantieren?

A: Zu den unterstützten Spezies gehören B, P, As, F, C, Si, Ge, N, Ar, H, He, die die häufigsten Dotierungsanforderungen für Halbleiter auf Siliziumbasis abdecken.

F: Wie ist die Leistung bei der Kontamination mit Metallen und Partikeln?

A: Die energiebedingte Kontamination liegt unter 0,05 %. Ein spezielles mechanisches Design und eine Strahllinienabschirmung verringern die Partikelbildung und Metallverunreinigungen, um den anspruchsvollen Anforderungen an die Fertigungsausbeute gerecht zu werden.

F: Kann LEII 100 mit anderen SEMICORE-Implantierern in einer Fabrik zusammenarbeiten?

A: Ja. LEII 100 kann zusammen mit Mittelstrom-Implantierern der CIP-Serie, CIC200-Hochstrom-Implantierern mittlerer Energie und CIE8000-Hochenergie-Implantierern eingesetzt werden, um eine vollständige In-House-Ionenimplantationslösung für Fabriken aufzubauen.

F: Welche Art von Kundendienst und Serviceunterstützung kann erhalten werden?

A: SEMICORE ZKX bietet Ersatzteilversorgung, jährliche Wartung, Fab-Move-In-Service und Sanierungsservice. Für das Debuggen in der Produktionslinie stehen technischer Support vor Ort und Unterstützung bei der Rezeptoptimierung zur Verfügung.

 

 

 

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