8" ICP Etcher

8" ICP Etcher

Dieses 8-{1}Zoll-ICP-Ätzsystem ist ein Gerät der Massenproduktion-{4}}für mittlere/kleine IC-Fertigungen und spezielle Prozesse. Ausgestattet mit einer ICP-Quelle mit hoher-Stabilität, präziser Vakuumübertragung und geschlossener{6}Loop-Steuerung ermöglicht es ein ultra-präzises Ätzen von Silizium, Metallen und Dielektrika. Es entspricht den 8-Zoll-Standards, unterstützt Knoten mit mehr als 0,11 μm und passt sich an die spezielle Halbleiterverarbeitung an, wobei Effizienz und Flexibilität für kostengünstige Lösungen in Einklang gebracht werden.
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Beschreibung

Produktübersicht

 

Dieses 8-{1}Zoll-ICP-Ätzsystem ist ein Gerät der Massenproduktion-{4}}für mittlere/kleine IC-Fertigungen und spezielle Prozesse. Ausgestattet mit einer ICP-Quelle mit hoher-Stabilität, präziser Vakuumübertragung und geschlossener{6}Loop-Steuerung ermöglicht es ein ultra-präzises Ätzen von Silizium, Metallen und Dielektrika. Es entspricht den 8-Zoll-Standards, unterstützt Knoten mit mehr als 0,11 μm und passt sich an die spezielle Halbleiterverarbeitung an, wobei Effizienz und Flexibilität für kostengünstige Lösungen in Einklang gebracht werden.

 

Vorteile

Präzise Kontrolle und hohe Ausbeute

Die selbst-optimierte ICP-Quelle macht hier wirklich einen Unterschied-sie erhöht die Plasmagleichmäßigkeit um 15 %, wobei die Gleichmäßigkeit innerhalb-des Wafers weniger als oder gleich 5 % und die Gleichmäßigkeit von Wafer-zu-weniger als oder gleich 3 % beträgt. Dann gibt es noch die Ätzselektivität von 100:1; Dadurch wird die Schädigung des Substrats erheblich reduziert, und natürlich wird auch der Ertrag deutlich gesteigert.

Robuste Massenproduktion und Kosteneinsparung

Kommen wir zu den harten Zahlen{0}}Dieses System kann 12.000 bis 15.000 Wafer pro Monat verarbeiten. Auch die Zuverlässigkeit ist solide: MTBF liegt bei über 300 Stunden und MTBC erreicht 350 RF-Stunden. Darüber hinaus spart das kompakte Design 30 % Platz, was wiederum die Gesamtbetriebskosten um 20 % senkt.-Das ist ein großer Vorteil für das Budget.

Breite Kompatibilität

Es ist ziemlich vielseitig, wenn es um Materialien geht -Silizium, Al/W-Metalle und SiO₂/Si₃N₄-Dielektrika, die alle mit dem Ätzprozess funktionieren. Und die modulare Schnittstelle ist ein Lebensretter; Das Umschalten von Parametern für Logik, Speicher oder Leistungshalbleiter erfolgt im Handumdrehen.

Intelligente Bedienung

Die Touch-Oberfläche ist benutzerfreundlich-und verfügt über eine integrierte-Datenbank und ein Fehlerdiagnosetool. Neue Betreiber? Sie können sich in nur einer Woche auf den neuesten Stand bringen. Darüber hinaus trägt die Echtzeitüberwachung dazu bei, die Wartungskosten zu senken-und unnötige Ausgaben zu vermeiden.

 

Anwendungen

01/

Mainstream-8-Zoll-IC-Herstellung:Kern für 8-Zoll-IC-FEOL- (Gate, STI) und BEOL-Ätzung (Al-Draht, W-Stecker), passend für Logik-/Speicherchips von 0,11 μm bis 0,35 μm.

02/

Spezialgeräte:Kundenspezifische Rezepte für das Ätzen von IGBT/MOSFET-Elektroden und die Strukturierung von LEDs/Sensoren.

03/

Kapazitätserweiterung:Erweitert ausgereifte 8-Zoll-Fabrikkapazität; 6-Zoll-kompatibel für flexiblen Einsatz in mehreren Größen.

04/

Forschung und Entwicklung sowie Pilotproduktion:Unverzichtbar für die Forschung und Entwicklung neuer Materialien/Prozesse in Universitäten und Unternehmen, da es Pilot- und Massenproduktion miteinander verbindet.

 

Parameter

 

Kategorie

Einzelheiten

Wafer-Kompatibilität

8 Zoll (200 mm) IC-Wafer; kompatibel mit 6-Zoll-Wafern (optional)

Unterstützte Technologieknoten

0,11 μm – 0,35 μm (Hauptstromknoten); anpassbar an spezielle Prozesse

Kammerkonfiguration

Hochstabile ICP-Quelle + Präzisions-Vakuumtransfermodul + Entschleimungskammer

Ätzbare Materialien

Silizium, Aluminium (Al), Wolfram (W), Siliziumoxid (SiO₂), Siliziumnitrid (Si₃N₄)

Schlüsselprozessleistung

- Innerhalb-Wafer-Gleichmäßigkeit: Weniger als oder gleich 5 %- Wafer-zu-Wafer-Gleichmäßigkeit: Weniger als oder gleich 3 %- Ätzselektivität: Bis zu 100:1

Produktionskapazität

12.000 – 15.000 Wafer/Monat (Standardprozess)

Zuverlässigkeitsmetriken

- MTBF (mittlere Zeit zwischen Ausfällen): >300 Stunden- MTBC (mittlere Zeit zwischen Reinigungen): 350 RF-h

Systemfunktionen

Multi-Parameter-Regelung-; modulare Prozessschnittstelle; Intelligente Fehlerdiagnose

Platzbedarf

Kompaktes Design (30 % Platzersparnis-im Vergleich zu ähnlichen Produkten)

Betriebskostenvorteil

20 % niedrigere Gesamtbetriebskosten als der Branchendurchschnitt

 

FAQ

 

F: Welche Wafergrößen unterstützt das System?

A: 8 Zoll (200 mm) als Standard; 6-Zoll-kompatibel (optional).

F: Welche Technologieknoten werden unterstützt?

A: 0,11 μm – 0,35 μm Hauptstromknoten; anpassbar an spezielle Prozesse.

F: Welche Materialien können geätzt werden?

A: Silizium, Al/W-Metalle, SiO₂/Si₃N₄-Dielektrika.

F: Wie hoch ist die monatliche Produktionskapazität?

A: 12.000 – 15.000 Wafer (Standardprozess).

F: Was sind die wichtigsten Zuverlässigkeitskennzahlen?

A: MTBF > 300 h; MTBC=350 RF-h.

 

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