Produktübersicht
Das 6-Zoll CCP-Ätzwerkzeug für kleine-bis-mittlere Produktion und Forschung und Entwicklung. Mithilfe der CCP-Technologie erzeugt seine einzelne Kammer Plasma zum Ätzen von Materialien. Flüchtige Nebenprodukte werden mittels Vakuum entfernt. Es funktioniert mit Wafern von weniger als oder gleich 6-Zoll und bietet flexible, kosten-effektive Lösungen für Mikrostrukturen mit niedriger-bis mittlerer Präzision – ideal für Industrie und Labore.
Vorteile
Super platzsparend-
Durch die Einkammerbauweise-ist der Platzbedarf gering-ideal für beengte Produktionslinien oder Labore und senkt außerdem Ihre Einrichtungskosten.
Schont das Budget
Wir haben das Design verfeinert und bewährte-und-echte Komponenten verwendet, sodass es eine konstante Leistung liefert, ohne das Budget zu sprengen.
Super vielseitig
Es übernimmt das Ätzen von Si, SiO₂, SiNₓ, Au, Ta-was auch immer. Ganz gleich, woran Sie gerade arbeiten, es ist für Sie da.
Maßgeschneiderter Prozessfokus
Es eignet sich hervorragend zum Entfernen von Fotolacken und zum dielektrischen Ätzen und verfügt über eine punktgenaue Parametersteuerung, um jederzeit konsistente Ergebnisse zu gewährleisten.
Anwendungen
Herstellung von Mikro--Nanogeräten:Es formt Mikrostrukturen für kleine Halbleiterteile-perfekt für Komponenten, die eine niedrige-bis-geringe Präzision erfordern.
Descum & dielektrisches Ätzen:Entfernt Fotolackrückstände und ätzt dielektrische Materialien, sodass die Oberflächen Ihrer Geräte sauber und intakt bleiben.
Forschung und Entwicklung und Prototypenbau:Labore und Forschungs- und Entwicklungsteams in Unternehmen lieben es als -Werkzeug-, das sich hervorragend zum Testen neuer Materialien, neuer Strukturen und zum Erstellen von Prototypen eignet.
Kleine-Batch-Läufe:Perfekt für die Herstellung kundenspezifischer Sensoren oder mikroelektronischer Module in kleinen Mengen. -Es gleicht Effizienz und Kosten wie ein Profi aus.
Parameter
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Kategorie |
Einzelheiten |
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Wafer-Kompatibilität |
Max.. 6-Zoll (150 mm) Wafer; kompatibel mit 4-Zoll/2-Zoll-Wafern über adaptive Träger |
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Plasmaquellentechnologie |
Kapazitiv gekoppeltes Plasma (CCP); Einfrequenz-HF-Netzteil (13,56 MHz) |
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Unterstützte Ätzmaterialien |
Silizium (Si), Siliziumdioxid (SiO₂), Siliziumnitrid (SiNₓ), Gold (Au), Tantal (Ta), Fotolack |
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Schlüsselprozessleistung |
- Ätzgleichmäßigkeit: Weniger als oder gleich 7 % (innerhalb von -Wafern, 6-Zoll) – Ätzselektivität (Si vs. SiO₂): Größer als oder gleich 20:1 – Photoresist-Entfernungseffizienz: Größer als oder gleich 95 % Rückstandsentfernung |
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HF-Leistungsbereich |
0–500 W (einstellbar in 1-W-Schritten); Leistungsstabilität: ±1 % |
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Kammerkonfiguration |
Einzelne Ätzkammer; Hohlraum aus Edelstahl mit Keramikbeschichtung; Integriertes Vakuum-Absaugsystem |
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Vakuumleistung |
Basisdruck: Kleiner oder gleich 5×10⁻⁵ Pa; Saugvermögen: Größer oder gleich 300 L/s |
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Gaskontrollsystem |
4-Kanal-Massendurchflussregler (MFC); Durchflussbereich: 0–200 sccm pro Kanal; unterstützte Gase: SF₆, O₂, CF₄, Ar, N₂ |
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Temperaturkontrolle |
Futtertemperatur: 20–80 Grad (einstellbar); Temperaturstabilität: ±0,5 Grad |
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Produktion und Zuverlässigkeit |
- Stapelverarbeitungszeit: 3-10 Minuten pro Wafer (variiert je nach Prozess)- Mittlere Zeit zwischen Ausfällen (MTBF): Größer als oder gleich 250 Stunden – Stellfläche: Weniger als oder gleich 1,2 m × 0,8 m (L×B) |
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Steuerschnittstelle |
Touchscreen-HMI; SPS-Steuerungssystem; Unterstützung der Prozessrezeptspeicherung (bis zu 100 Sätze) |
FAQ
F: Welche Wafergrößen unterstützt das System?
A: Maximal 6 Zoll; Kompatibel mit 4-Zoll/2-Zoll-Via-Trägern.
F: Welche Materialien können geätzt werden?
A: Si, SiO₂, SiNₓ, Au, Ta und Fotolack.
F: Für welche Kernprozesse wird es verwendet?
A: Photoresist-Abtragung und dielektrisches Ätzen.
F: Wie ist die Gleichmäßigkeit beim Ätzen innerhalb-des Wafers?
A: Weniger als oder gleich 7 % (6-Zoll-Wafer).
F: Wie groß ist der Platzbedarf des Systems?
A: Weniger als oder gleich 1,2 m × 0,8 m (L×B), platzsparend.
Beliebte label: 6" CCP-Ätzer, China 6" CCP-Ätzer Hersteller, Lieferanten
