Produktübersicht
Dieses 8-Zoll ICP-DSE-System ist ein Ätzgerät für die Massenproduktion für die Siliziumverarbeitung mit hohem{4}Aspektverhältnis-. Es integriert Dual-{9}Frequenz-ICP-Leistung (2 MHz+13.56MHz), unser patentiertes schnelles Gaswechselmodul und In-situ-Laser-Endpunkterkennung-mit optimierter alternierender Ätzung von Bosch. Es entspricht den 8-Zoll-Waferstandards und arbeitet mit SOI, dotiertem Silizium und SiC und ermöglicht so ein präzises Ätzen von 10 bis 1000 μm. Es vereint F&E-Flexibilität und Massenproduktionsstabilität und wird in Automobilsensoren, Superjunction-MOSFETs und TSVs verwendet.
Vorteile
Ausgezeichnetes Seitenverhältnis und Profilkontrolle
100:1-Verhältnis (10 μm Apertur, 1000 μm Tiefe) durch verbessertes Bosch-Verfahren, mit 90 Grad ±0,1 Grad Seitenwandvertikalität, Ra 0,3 μm Rauheit und keinen „Mikrogräben“.
Hohe Massenproduktionseffizienz
Bis zu 50 μm/min Ätzrate (30+ Wafer/Stunde pro Kammer). 3-Das parallele Kammerdesign liefert 400 RF-h MTBC und eine 40 % höhere Auslastung.<1.0min gas switching and ±2% wafer-to-wafer error ensure batch consistency.
Geringer Schaden und hohe Präzision
Dual-frequency power offers >100:1 Selektivität (gegenüber SiO₂); 1 μm Laser-Endpunktgenauigkeit, perfekt für das TSV-Ätzen ultradünner Substrate.
Große Anpassungsfähigkeit
8-Zoll-Plattform (6-Zoll-kompatibel über Träger) mit Schnell-/Langsam-Bosch-Modus. Unterstützt Ar/O₂/C₄F₈/SF₆ für MEMS-/Leistungsgeräteprozesse.
Anwendungen
MEMS:Ätzen tiefer Gräben/Hohlräume für Trägheits-/Drucksensoren; Automobiltauglichkeit-verifiziert.
Leistungshalbleiter:Ätzen mit einem Seitenverhältnis von 100:1 für Super--Junction-MOSFET/IGBT; Wird in hoch-zuverlässigen Automobil-/Industriegeräten verwendet.
Erweiterte Verpackung:TSV-Ätzung für 8-Zoll-WLP; Die Lasererkennung gewährleistet die Gleichmäßigkeit der Durchgangstiefe beim 3D-Stapeln.
Spezielle Forschung und Entwicklung:Ätzen für Quantenchip-Siliziumstrukturen und Tintenstrahldruckköpfe; Ein-Klick-Rezeptspeicher für neue Materialien.
Parameter
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Kategorie |
Einzelheiten |
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Wafer-Kompatibilität |
8 Zoll (200 mm) IC-Wafer; abwärtskompatibel zu 6-Zoll-Wafern (via Carrier) |
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Unterstützte Substrate |
Monokristallines Silizium, SOI (Silicon-On-Insulator), dotiertes Silizium, SiC (Siliziumkarbid) |
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Ätztiefenbereich |
10μm – 1000μm |
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Schlüsselprozessleistung |
- Seitenverhältnis: Bis zu 100:1- Seitenwandvertikalität: 90 Grad ±0,1 Grad - Seitenwandrauheit: Kleiner oder gleich Ra 0,3 μm- Wafer-zu-Wafer-Tiefenfehler: ±2 % (Massenproduktion) |
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Ätzrate |
Bis zu 50 μm/min (Silizium, Standard-Bosch-Prozess) |
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Ätzselektivität |
>100:1 (Silizium vs. SiO₂-Hartmaske) |
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Kernkonfiguration |
Dual-Frequenz-ICP-Netzteil (2 MHz + 13.56MHz); patentiertes Schnellgaswechselmodul; In-Laser-Endpunkterkennungssystem vor Ort; Helium-Rückseitenkühleinheit |
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Produktionskapazität |
>30 Wafer/Stunde pro Kammer (Standardprozess); 3-Kammer-Parallelausführung optional |
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Zuverlässigkeitsmetriken |
MTBC (mittlere Zeit zwischen Reinigungen): 400 RF-h; Gaswechselzeit:<1.0min |
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Kompatible Gase |
Ar, O₂, C₄F₈, SF₆, N₂ (unterstützt die Kombination mehrerer -Gase für kundenspezifische Prozesse) |
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Genauigkeit der Endpunkterkennung |
1 μm (Laser-in-Detektion) |
FAQ
F: Welche Wafergrößen unterstützt das System?
A: 8 Zoll (200 mm) als Standard; 6-Zoll-kompatibel über Träger.
F: Wie hoch ist das maximale Seitenverhältnis und die maximale Ätzrate?
A: Bis zu 100:1 Seitenverhältnis; Maximale Ätzrate 50 μm/min.
F: Welche wichtigen Geräte kann es bedienen?
A: Automobiltaugliche Sensoren, Super--MOSFETs, IGBTs, TSVs usw.
F: Wie hoch ist die Genauigkeit der Laser-Endpunkterkennung?
A: 1 μm, was eine präzise Kontrolle der Ätztiefe gewährleistet.
F: Welche Gase werden unterstützt?
A: Ar, O₂, C₄F₈, SF₆, N₂ und Multi{0}}-Gaskombinationen.
Beliebte label: ICP Deep Si Etcher, China ICP Deep Si Etcher Hersteller, Lieferanten
