Produktübersicht
Unser Ion Beam Etching (IBE)-System ist eine hochpräzise Materialverarbeitungsanlage, die für die Mikro-{1}}Nano-Fertigungsindustrie entwickelt wurde. Es nutzt einen fokussierten und steuerbaren Ionenstrahl, um physikalische Ätzungen auf der Oberfläche von Dünnschichtmaterialien durchzuführen und so selektive Ätz- oder Abhebeprozesse mit hoher Präzision zu ermöglichen.
Dieses System wurde professionell für die Verarbeitung einer breiten Palette von Dünnschichtmaterialien entwickelt, darunter unter anderem Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag und Al₂O₃. Es unterstützt Standard-Wafergrößen von 6 Zoll und 8 Zoll und ist somit hochkompatibel mit den gängigen Herstellungsprozessen für Halbleiter und mikro{4}elektromechanische Systeme (MEMS). Durch die Nutzung der Ätztechnologie bei niedrigen -Temperaturen und geringen -Schäden bietet es eine ideale Lösung für die Herstellung von hochleistungsfähigen Mikro--Nanogeräten.
Vorteile
Hohe Präzision und Prozesskontrolle
Das System ist in ein fortschrittliches Etching-Endpunkterkennungssystem integriert, das eine Echtzeitüberwachung und präzise Steuerung des gesamten Etching-Prozesses ermöglicht. Dies gewährleistet eine hervorragende Wiederholbarkeit und Genauigkeit mit einer Ätzgleichmäßigkeit von weniger als oder gleich ±5 % (sowohl innerhalb des Wafers als auch von Wafer-zu-Wafer) und garantiert so gleichbleibend hohe-Qualitätsergebnisse über alle Produktionschargen hinweg.
Überlegene Prozesskompatibilität
Es erfüllt die Anforderungen an mehrere Winkel, niedrige{1}Temperaturen (0 Grad bis 30 Grad) und geringe{4}Ätzschäden. Diese Fähigkeit ist entscheidend für den Schutz temperaturempfindlicher und zerbrechlicher Materialien, die Minimierung von Substratschäden und die Erhaltung der intrinsischen Eigenschaften der Dünnfilme, wodurch die Geräteausbeute und -leistung erheblich verbessert werden.
Flexible und skalierbare Konfiguration
Um den unterschiedlichen Produktions- und F&E-Anforderungen gerecht zu werden, bietet das System eine optionale Cluster-Tool-Architektur. Dieses modulare Design ermöglicht die Integration mehrerer Prozesskammern und erleichtert so eine nahtlose Prozessintegration, -Großserienfertigung und effiziente Workflow-Automatisierung, sodass es sowohl für die Laborforschung als auch für die industrielle Massenproduktion geeignet ist.
Anwendungen
Das Ionenstrahl-Ätzsystem ist ein wichtiges Gerät im Bereich der fortschrittlichen Mikro-{0}}Nano-Fertigung mit einem breiten Anwendungsspektrum:
1. Herstellung von Halbleiterbauelementen
Es wird zur präzisen Strukturierung von Metallelektroden, Verbindungen und Gate-Strukturen in integrierten Schaltkreisen (ICs) sowie zum Trimmen und Justieren von Dünnfilmwiderständen und -kondensatoren verwendet.
2. MEMS- und NEMS-Herstellung
Es spielt eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von Mikro{0}sensoren, Mikro{1}aktoren und anderen MEMS/NEMS-Geräten und ermöglicht die Erstellung von Mikrostrukturen mit hohem{2}Seitenverhältnis-und aufgehängten Strukturen mit hoher Präzision.
3. Produktion optoelektronischer Geräte
Es wird bei der Verarbeitung von Dünnschichtmaterialien in Lasern, Fotodetektoren und optischen Wellenleitern eingesetzt und erleichtert die Herstellung leistungsstarker optoelektronischer Komponenten.
4. Erweiterte Verpackung und Verbindung
Es wird in fortschrittlichen Verpackungstechnologien zum selektiven Ätzen von Umverteilungsschichten (RDLs) und zur Herstellung hochpräziser Bump-Strukturen verwendet.
FAQ
F: 1. Was ist ein Ionenstrahlätzsystem (IBE)?
A: Ein IBE-System (Ion Beam Etching) ist ein hochpräzises Mikro--Nanoverarbeitungsgerät, das einen fokussierten Ionenstrahl verwendet, um physikalische Ätzungen auf dünnen-Filmmaterialien durchzuführen. Es wird hauptsächlich zum selektiven Ätzen und Ablösen verschiedener dünner Schichten verwendet und findet breite Anwendung in den Bereichen Halbleiter, MEMS, Optoelektronik und anderen Bereichen.
F: 2. Für welche Materialien ist das IBE-System geeignet?
A: Dieses IBE-System eignet sich zum selektiven Ätzen oder Ablösen von Dünnfilmmaterialien wie Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag und Al₂O₃ und kann die Verarbeitungsanforderungen verschiedener gängiger Metall- und dielektrischer Dünnfilme erfüllen.
F: 3. Welche Wafergrößen unterstützt die Ionenstrahlätzmaschine?
A: Die Ionenstrahl-Ätzmaschine unterstützt zwei Standard-Wafergrößen: 6 Zoll und 8 Zoll, was mit den gängigen Wafer-Verarbeitungsspezifikationen der Branche kompatibel ist und den Anforderungen von Forschung und Entwicklung sowie der Kleinserienproduktion gerecht wird.
F: 4. Was sind die Vorteile der Ionenstrahlätztechnologie?
A: Das Ionenstrahlätzen bietet die Vorteile einer niedrigen Temperatur (0 bis 30 Grad), einer geringen Beschädigung, einer Mehrwinkelverarbeitung und einer hohen Gleichmäßigkeit. Es kann thermische Belastungen und Materialschäden reduzieren und die Stabilität und Konsistenz des Ätzprozesses gewährleisten.
F: 5. Wie gleichmäßig ist die Ätzung beim IBE-System?
Ja, die Ionenstrahlätzmaschine ist mit einem fortschrittlichen Ätzendpunkt-Erkennungssystem ausgestattet, das den Ätzprozess in Echtzeit überwachen, eine präzise Steuerung des Ätzprozesses ermöglichen und Über{0}}Ätzen oder Unter-Ätzen vermeiden kann.
F: 6. Verfügt die Ionenstrahlätzmaschine über eine Endpunkterkennungsfunktion?
A: Ja, die Ionenstrahlätzmaschine ist mit einem fortschrittlichen Ätzendpunkt-Erkennungssystem ausgestattet, das den Ätzprozess in Echtzeit überwachen, eine präzise Steuerung des Ätzprozesses ermöglichen und Über{0}}Ätzen oder Unter-Ätzen vermeiden kann.
F: 7. Kann das IBE-System mit mehreren Prozesskammern konfiguriert werden?
A: Ja, das IBE-System unterstützt eine optionale Cluster-Architektur, die mit mehreren Ätzprozesskammern ausgestattet werden kann, um den Anforderungen eines flexiblen Prozesswechsels und einer verbesserten Produktionseffizienz gerecht zu werden.
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