Produktübersicht
Bei dieser Ionenstrahlabscheidungsanlage handelt es sich um ein hochpräzises Dünnschichtabscheidungssystem, das für die Vorbereitung von Metalldraht- und ohmschen Kontaktdünnschichten bei der Herstellung von Infrarotgeräten entwickelt wurde. Es wurde entwickelt, um hochwertige Dünnfilme aus Cr, Pt, Au, Cu, Ti, Ag und anderen Metallen auf Waferoberflächen abzuscheiden und bietet so eine zuverlässige und effiziente Lösung für die Herstellung kritischer Kontaktschichten in optoelektronischen Geräten.
Vorteile
Filmabscheidung mit hoher Adhäsion: Verwendet eine Dual-{0}}Ionenquellenarchitektur mit zusätzlicher Abscheidungstechnologie, die die Haftung der abgeschiedenen dünnen Filme erheblich verbessert und so eine langfristige Stabilität und Zuverlässigkeit der Kontaktschichten des Geräts gewährleistet.
Präzise Temperaturregelung: Verfügt über ein weitreichendes Wafer-Stufen-Temperaturkontrollsystem (10 bis 80 Grad), das eine präzise Regulierung der Abscheidungstemperatur ermöglicht, um die Filmqualität und -gleichmäßigkeit zu optimieren.
Flexible Ablagewinkel: Ausgestattet mit einem Mehrwinkel-Werkstücktischdesign, das die Anforderungen an die Dünnschichtabscheidung in verschiedenen Winkeln erfüllen und sich an verschiedene Gerätestrukturen und Prozessanforderungen anpassen kann.
Hervorragende Prozesseinheitlichkeit: Bietet eine hervorragende Gleichmäßigkeit der Filmdicke (besser als ±5 % innerhalb des Wafers und zwischen den Wafern) und sorgt so für eine gleichbleibende Leistung über den gesamten Wafer und eine Reproduzierbarkeit von Charge zu Charge.
Große Verarbeitungskompatibilität: Unterstützt Wafergrößen bis zu 8 Zoll, kompatibel mit den gängigen Waferspezifikationen der Branche und erfüllt die Produktionsanforderungen mittlerer und großer -Geräte.
Anwendungen
Die Geräte werden hauptsächlich in der verwendetInfrarotgeräteindustrie, speziell für die Herstellung von Metalldrähten und ohmschen Kontaktdünnfilmen. Es erfüllt die Anforderungen an die Dünnschichtabscheidung verschiedener Metallmaterialien (Cr, Pt, Au, Cu, Ti, Ag) auf Waferoberflächen und unterstützt die Produktion leistungsstarker optoelektronischer Infrarotkomponenten.
FAQ
F: 1. Wofür werden Ionenstrahl-Depositionsgeräte verwendet?
A: Es werden dünne Cr-, Pt-, Au-, Cu-, Ti- und Ag-Filme auf Wafern für Metallverdrahtungen und ohmsche Kontakte in Infrarotgeräten abgeschieden.
F: 2. Was sind die Vorteile des Dual--Ionenquellendesigns?
A: Es steigert die Filmhaftung, verbessert die Gleichmäßigkeit und unterstützt ein qualitativ hochwertiges, stabiles-Filmwachstum.
F: 3. Welche Wafergröße wird unterstützt?
A: Es unterstützt Wafer bis zu 8 Zoll und ist mit den gängigen Industriespezifikationen kompatibel.
F: 4. Was ist der Temperaturbereich in der Arbeitsphase?
A: Der Temperaturbereich beträgt 10 bis 80 Grad für eine präzise Prozesskontrolle.
F: 5. Wie ist die Gleichmäßigkeit der Filmdicke?
A: Die Gleichmäßigkeit ist innerhalb des Wafers und von Charge zu Charge besser als ±5 %.
F: 6. Welche Metalle können abgeschieden werden?
A: Es werden dünne Schichten aus Cr, Pt, Au, Cu, Ti, Ag und ähnlichen Metallen abgeschieden.
F: 7. Ist es für die Produktion von Infrarotgeräten geeignet?
A: Ja, es ist für den Kontakt mit Infrarotgeräten und die Vorbereitung von Bleifilmen konzipiert.
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