Produktübersicht
Die MOCVD-Geräte der Serien MC150/MC200/MC300 von Nice- übernehmen daseng-gekoppeltes vertikales Duschkopf-Gasinjektionsmodell, mit inhärenten epitaktischen Gleichmäßigkeitsvorteilen durch gestaffelte Quellgasdüsen mit hoher -Dichte und steuerbarem kleinen Injektionsabstand. Die drei Modelle sind mit unterschiedlichen Reaktionskammergrößen für eine Gradientenproduktionskapazität ausgestattet und unterstützen eine flexible Substratkonfiguration und ein individuelles Design. Die gesamte Maschine hat die SEMI-S2- und SEMI-S6-Zertifizierung bestanden, mit MO-Quellgaskreisläufen mit bis zu 10 Pfaden und Hyd-Gaskreisläufen mit bis zu 6 Pfaden, geeignet für das Wachstum von Halbleitern der 2. bis 4. Generation und zwei{11}}dimensionalen Materialien und deckt F&E-, Pilottest- und Massenproduktionsszenarien ab.
Vorteile
1. Überlegene Epitaxieleistung: Ga₂O₃-Epitaxieschicht auf -Wafer, Dicke standardmäßig 0,19 %, InP/GaAs-basierte Materialien mit niedriger Hintergrundkonzentration und hoher PL-Wellenlängengleichmäßigkeit; Hervorragende Kristallqualität mit Stufen-Flusswachstum der epitaktischen Oberfläche.
2. Große Materialanpassungsfähigkeit: Vollständige Abdeckung von Halbleitern und zwei-dimensionalen Materialien der 2. bis 4. Generation, ein Gerät, das mehrere Wachstumsanforderungen erfüllt.
3. Flexibel und anpassbar: Gradientensubstratkonfiguration, aufrüstbare Gaskreisläufe/Thermostatbäder, optionale In-{0}}Überwachungsfunktionen, die eine personalisierte Anpassung unterstützen.
4. Hohe Sicherheit und einfache Bedienung: SEMI-S2/SEMI-S6 zertifiziert; Humanisiertes Design für einfache Bedienung und Wartung, angemessene Anordnung des Wartungsbereichs.
5. Stabiles Prozesssystem: Exklusive Gaskreislauf- und Thermostatbadkonfiguration für verschiedene Materialien, hochpräzise MFC/PC-Steuerung, die einen stabilen und genauen Wachstumsprozess gewährleistet.
Anwendungen
Wachstum bei Halbleitermaterialien: Kann Halbleiter der 2. Generation (AlGaInAs, AlGaInP, InGaAsP), 3. Generation (GaN, InGaN, AlN), 4. Generation (Ga₂O₃) und zwei{3}dimensionale Materialien (Graphen, MoS₂, WSe₂) züchten.
Terminalfelder: Wird zur Herstellung von Dünnschichtmaterialien für Leistungsgeräte, Solarzellen, VCSEL, Beleuchtung, Displays und optische Kommunikation verwendet und in Fahrzeugen mit neuer Energie, 5G-Basisstationen, Photovoltaik-/Windenergieerzeugung, Radar- und Satellitenkommunikation usw. verwendet.
Szenario-Matching: MC150 für die Forschung und Entwicklung im Labor, MC200 für die mittlere -Batchproduktion, MC300 für die industrielle Massenproduktion im großen -Maßstab.
Parameter
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Index |
MC150 |
MC200 |
MC300 |
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Größe des Wartungsbereichs (mm) |
6200*2900 |
7680*3900 |
7680*3900 |
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Konfiguration der Substratgröße |
6x2", 1x4", 1x6" |
12x2", 3x4", 1x6", 1x8" |
19x2", 5x4", 3x6", 1x8", 1x12" |
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Kernsicherheitszertifizierung |
SEMI-S2, SEMI-S6 |
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Max. MO-Quellgaskreisläufe |
10 Wege |
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Max Hyd-Gaskreisläufe |
6 Wege |
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Max-Thermostatbäder |
/ |
6 große oder 8 kleine |
6 große oder 8 kleine |
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Standard-Überwachungsfunktion |
Reflexionsvermögen/Temperatur in-Situ-Überwachung (R/T) |
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Optionale Kernfunktionen |
Deckenfunktion, einstellbarer Prozessspalt (5–25 mm), Verzug in-Überwachung vor Ort (C), MO-Quellenkonzentration auf-Leitungsüberwachung |
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Typische Prozessleistung (Ga₂O₃) |
Auf-Waferdicke standardmäßig 0,19 %; 500 nm dicke -Ga₂O₃-Oberfläche RMS 0,254 nm |
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Typische Prozessleistung (InP/GaAs-basiert) |
PL-Wellenlängenverteilung standardmäßig nur 0,014 %; niedrige Hintergrundkonzentration, hohe Mobilität |
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Anwendbares Szenario |
Laborforschung und -entwicklung, Kleinserien-Pilottest |
Mittlere-Batchproduktion, industrieller Pilottest |
Groß-industrielle Massenproduktion |
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Steuerung des Gaskreislaufs |
Hochpräziser MFC/PC für alle Gaskreisläufe |
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FAQ
F: Aus welchen Materialien kann die Ausrüstung wachsen?
A: Halbleiter der 2./3./4. Generation (AlGaInAs, GaN, Ga₂O₃ usw.) und 2D-Materialien (Graphen, MoS₂, WSe₂).
F: Welche Sicherheitszertifizierungen gibt es?
A: SEMI-S2, SEMI-S6 zertifiziert.
F: Kann das Gas-/Temperatursystem aufgerüstet werden?
A: Ja. Max. 10 MO-Gaswege, 6 Hyd-Gaswege; MC200/300 kann bis zu 6 große/8 kleine Thermostatbäder aufnehmen.
F: Welche Überwachungsfunktionen stehen zur Verfügung?
A: Standard: R/T-In--Überwachung; Optional: Verzugsüberwachung, einstellbarer Prozessspalt, Online-Überwachung der MO-Konzentration.
F: Wichtige Highlights der Prozessleistung?
A: Ga₂O₃: Dicke auf dem Wafer standardmäßig 0,19 %, Oberflächen-RMS 0,254 nm (500 nm); InP/GaAs: PL Standard 0,014 %, niedrige Hintergrundkonzentration.
F: Wird individuelles Design unterstützt?
A: Ja, kundenspezifische Substrat-, Gas-/Temperaturmodule und Überwachungsfunktionen sind verfügbar.
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