Produktübersicht
Die Nice{0}}Tech CV600/CV700-Serien sind hochwertige MOCVD-Geräte für die Massenproduktion-für das epitaktische Wachstum von Verbindungshalbleitern, die die proprietäre Planeten--Satelliten-Doppelrotationstechnologie nutzen, um ein Multi-Wafer-Wachstum mit einheitlicher-Wafer-Ebene zu realisieren. Die Ausrüstung zeichnet sich durch eine führende Effizienz bei der Quellgasnutzung durch optimiertes Gasinjektions- und Transportdesign aus, ist SEMI-S2/SEMI-S6-zertifiziert, einfach zu bedienen und zu warten und unterstützt eine flexible Anpassung. CV700 ist das hochleistungsfähige, verbesserte Modell und bildet eine abgestufte Produktlinie, um den vielfältigen Massenproduktionsanforderungen globaler Industrieanwender und Forschungseinrichtungen gerecht zu werden.
Vorteile
1. Überlegene Wachstumsgleichmäßigkeit: Die Doppelrotation des Planeten-Satelliten sorgt für eine flache Materialoberfläche, scharfe Beugungsspitzen und steile Wachstumsgrenzflächen mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit.
2. Hohe Effizienz der Quellgasnutzung: Optimiertes Gasdesign steigert die Quellgasausnutzung, ideal für kostensensible epitaktische Massenproduktion.
3. Hohe Sicherheit und Zuverlässigkeit: SEMI-S2/SEMI-S6 zertifiziert, mit optimierter Struktur für einfache Bedienung, einfache Wartung und lange Lebensdauer.
4. Großer Materialwachstumsbereich: Deckt das epitaktische Wachstum gängiger Halbleitermaterialien der 2. und 3.-Generation für die Multi-{3}Szenario-Verbindungshalbleiterherstellung ab.
5. Flexible Konfiguration und Anpassung: Umfangreiche Optionen für Substratgrößen, Unterstützung für individuelle Aufrüstung von Gaskreisläufen, Thermostatbädern und anderen Kernkomponenten.
6. Präzise Prozesskontrolle: Standardmäßig mit unabhängiger Satellitenplatten-Temperaturregelung, In-{0}}R/T-Überwachung vor Ort und mehrschichtiger Gasinjektion für hoch{2}präzises, stabiles Wachstum.
Anwendungen
Diese Serie ermöglicht das epitaktische Wachstum gängiger Halbleitermaterialien der 2./3.-Generation (Arsenide, Phosphide, Nitride, SiC usw.), und die vorbereiteten Dünnschichtmaterialien werden zur Herstellung von Halbleiter-, optischen und Leistungsgeräten eingesetzt. Es bedient wichtige Terminalbereiche wie neue Energie, Energieübertragung, 5G/Luft- und Raumfahrtkommunikation, Hochgeschwindigkeitstransport und intelligente Fertigung und ist die Schlüsselausrüstung für die Massenproduktion von Halbleiter-Leistungsbauelementen der dritten Generation, VCSEL und Solarzellen.
Parameter
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Kategorie |
Wichtige Spezifikationen |
CV600 |
CV700 |
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Substratkonfiguration |
Verfügbare Waferkombinationen (Kernspezifikationen) |
12x4", 6x6", 8x6", 5x8" |
15x4", 8x6", 9x6", 6x8" |
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Standard-Gaskreislauf (As/P-basierte Materialien) |
MO-Quellgasleitungen |
8 Zeilen (6 Standard-+ 2-Doppelverdünnungen) |
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Hyd-Gasleitungen (Doping inklusive) |
4 Zeilen (2 Standard-+ 2-Doppelverdünnungen) |
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Standardgaskreislauf (Nitridmaterialien) |
MO-Quellgasleitungen |
6 Zeilen (5 Standard-+ 1-Doppelverdünnung) |
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Hyd-Gasleitungen (Doping inklusive) |
3 Zeilen (2 Standard-+ 1-Doppelverdünnungen) |
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Kernstandard-Hardware |
Kernfunktionskomponenten |
Sauberes, trockenes, sauerstofffreies Handschuhfach, Deckentemperaturregelung, RF-Heizset, unabhängige Satellitenplattentemperaturregelung, In-{1}}R/T-Überwachung, mehrschichtiger Gasinjektionsmechanismus |
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Wichtige optionale Konfiguration |
Kern-Upgrade-Artikel |
1. Roboterarm für Satellitenplattentransfer, In-situ-Verzugsüberwachung |
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Typische Prozessleistung |
Einheitlichkeit beim Doping |
GaAs:Si Weniger als oder gleich 0,87 %; GaAs:C Kleiner oder gleich 4,53 % |
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Einheitlichkeit der Komponenten |
GaInP/AlGaInP MQW std Weniger als oder gleich 0,02 %; InGaAs/AlGaAs MQW Standard Weniger als oder gleich 0,022 % |
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Gleichmäßige Dicke |
GaInP Bulk Std. Weniger als oder gleich 0,6 % |
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Leistung von Schüttgütern |
GaAs-Masse: BG-Konzentration <1×10¹⁵cm⁻³, Mobilität 7210 cm²/V-s |
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InP-Masse: BG-Konzentration nur 1,45×10¹³cm⁻³ |
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FAQ
FAQ
F: Welche Kerntechnologie nutzt die Serie?
A: Planetarische-Satelliten-Doppelrotation mit einheitlicher Ebene-Wafer-für Multi{3}}Wafer-Wachstum.
F: Aus welchen Materialien kann es wachsen?
A: Halbleiter der 2.-Generation (Arsenide/Phosphide) und der 3.-Generation (Nitride/SiC).
F: Was ist der Unterschied zwischen CV600 und CV700?
A: CV700 ist ein Modell mit hoher-Kapazität und höherer Substrattragfähigkeit; Die Kernspezifikationen sind konsistent.
F: Ist die Gerätesicherheit zertifiziert?
A: Ja, es verfügt über die internationalen Zertifizierungen SEMI-S2/SEMI-S6.
F: Unterstützt es die Anpassung?
A: Ja, Gasleitungen, Überwachungskomponenten und Thermostatbäder können individuell angepasst/aufgerüstet werden.
F: Was sind die Vorteile der Massenproduktion?
A: Erstklassige Quellgasausnutzung, hervorragende Gleichmäßigkeit, einfache Bedienung/Wartung.
F: Welche Kernhardware ist standardmäßig ausgestattet?
A: Sauerstofffreies Handschuhfach, In-{1}}R/T-Überwachung, unabhängige Satellitenplattentemperaturregelung, RF-Heizungsset usw.
F: Was sind die Hauptanwendungsgebiete?
A: Neue Energie, 5G/Luft- und Raumfahrt, Hochgeschwindigkeitstransport, intelligente Fertigung; Kern für Halbleiter-Leistungsbauelemente/VCSEL/Solarzellen der 3.-Generation.
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