ICP-CVD-System

ICP-CVD-System

Das Nice-Tech' 8-Zoll ICP-CVD-System ist für die Dünnfilmabscheidung auf 8-Zoll-Wafern konzipiert. Es erzeugt hochdichtes Plasma über induktive Kopplung (ICP) und stellt durch kapazitive Kopplung (CCP) eine Vorspannung her, was eine Niedertemperaturabscheidung ermöglicht.
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Beschreibung

Produktübersicht

 

Das Nice-Tech' 8-Zoll ICP-CVD-System ist für die Dünnfilmabscheidung auf 8-Zoll-Wafern konzipiert. Es erzeugt hochdichtes Plasma über induktive Kopplung (ICP) und stellt durch kapazitive Kopplung (CCP) eine Vorspannung her, was eine Niedertemperaturabscheidung ermöglicht.


Es entspricht den SEMI-Standards, verwendet universelle 8-Zoll-Fertigungskomponenten und hat strenge Stabilitätstests bestanden. Das System unterstützt 8/6-Zoll-Wafer (über optionale Elektroden) und eignet sich für die Massenproduktion und verschiedene Prozessanforderungen.

 

Vorteile

Abscheidung bei niedriger-Temperatur und hoher-Dichte

Trägt Filme mit hoher -Dichte auf<120°C, comparable to LPCVD films grown at 750°C, avoiding high-temperature damage to wafers.

Überlegene Filmleistung

Die Leckstromdichte entspricht den mit ALD-vorbereiteten Filmen und gewährleistet so die elektrische Stabilität und Zuverlässigkeit des Geräts.

Füllung mit hohem-Seitenverhältnis-

Ermöglicht das gleichmäßige Füllen tiefer Löcher/Nuten und löst so ungleichmäßige Füllprobleme in komplexen Strukturen.

Flexible Kompatibilität

Funktioniert mit 8/6-Zoll-Wafern; Standardisierte Teile reduzieren die Wartungskosten und erleichtern die Integration in bestehende Linien.

 

Anwendungen

01/

Isolierschichtabscheidung
Für 8-Zoll-Logik-/Speichergeräte (z. B. DRAM, NAND). Trägt SiO₂/SiNₓ-Isolierschichten auf, um eine zuverlässige elektrische Isolierung zwischen den Komponenten zu gewährleisten.

02/

Strukturfüllung mit hohem-Aspekt-Verhältnis
Wird in Leistungshalbleitern und MEMS eingesetzt. Füllt tiefe Gräben/Hohlräume mit hoher Präzision, um die strukturelle Integrität des Geräts zu verbessern.

03/

Erweiterte Verpackungsabscheidung
Wird in 8-Zoll-Wafer-Level-Gehäusen (WLCSP, SiP) verwendet. Trägt Isolier-/Schutzfilme auf, um die Zuverlässigkeit der Verpackung zu erhöhen.

04/

Spezielle funktionale Filmvorbereitung
Bereitet spezielle Funktionsfilme vor: Antireflexionsbeschichtungen für Fotodetektoren (erhöhen die Lichtabsorption) und verlustarme dielektrische Filme für HF-Geräte (sicherstellen der Signalintegrität).

 

Parameter

 

Kategorie

8-Zoll ICP-CVD-System

Wafer-Kompatibilität

8 Zoll (primär); 6 Zoll (optional, über kompatible Elektroden)

Abscheidungstemperatur

Weniger als oder gleich 120 Grad (Niedertemperaturprozess)

Plasmaerzeugung

Induktives Kopplungsplasma (ICP) + Kapazitives Kopplungsplasma (CCP)

Filmdichte

Vergleichbar mit LPCVD-Filmen, die bei 750 Grad gewachsen sind

Filmableitstrom

Entspricht Filmen, die durch Atomic Layer Deposition (ALD) hergestellt wurden

Füllkapazität mit hohem-Seitenverhältnis-

Gleichmäßige Füllung tiefer Löcher/Rillen (geeignet für anspruchsvolle Halbleiterstrukturen)

Hinterlegbare Materialien

SiO₂, SiNₓ und andere Funktionsfilme (anpassbar je nach Prozessanforderungen)

Prozesskammer

Hoch-Vakuumdesign (gewährleistet reine Filmzusammensetzung und stabile Abscheidung)

Branchenkonformität

Entspricht den SEMI-Standards; Kompatibel mit 8-Zoll-Wafer-Fab-Produktionslinien

Schlüsselkomponenten

Internationale Standardteile (reduziert Wartungsschwierigkeiten und -kosten)

 

FAQ

 

F: Welche Wafergrößen unterstützt das System?

A: 8 Zoll (primär) und 6 Zoll (optional über kompatible Elektroden).

F: Wie hoch ist die maximale Abscheidungstemperatur?

A: Weniger als oder gleich 120 Grad (Prozess bei niedriger-Temperatur, um Waferschäden zu vermeiden).

F: Kann es Strukturen mit hohem-Seitenverhältnis-ausfüllen?

A: Ja, es ermöglicht das gleichmäßige Füllen tiefer Löcher/Nuten.

F: Ist das System mit Industriestandards kompatibel?

A: Vollständig konform mit den SEMI-Standards, einfache Integration in bestehende 8-Zoll-Fabriken.

 

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