Produktübersicht
Nice-Tech hat drei PECVD-Modelle auf den Markt gebracht-Depomerits PE 100, PE 200 und PE 300-und zusammen bilden sie eine Produktmatrix, die alle wichtigen Szenarios abdeckt: von der Laborforschung über kleine{6}Batchläufe bis hin zur Massenproduktion im großen Maßstab.
Das Beste an diesen dreien? Sie verfügen über dieselben absolut soliden Kernfunktionen, sodass Sie keine Kompatibilitätsprobleme haben. Egal, ob Sie mit 6{{6}Zoll-, 8-Zoll- oder 12-Zoll-Substraten arbeiten, sie bewältigen alles. Und auch materialtechnisch sind sie vielseitig einsetzbar – Si, SiC, GaAs, GaN, sogar Glaswafer, sie alle funktionieren nahtlos.
Die Prozesstemperatur ist eine weitere Stärke: 75 bis 420 Grad, mit stetiger Kontrolle, was bedeutet, dass sie sowohl normale PECVD-Aufgaben als auch die kniffligen Prozesse bei niedrigen Temperaturen bewältigen, die besondere Präzision erfordern. Kein Wechsel mehr zwischen verschiedenen Systemen für spezielle Aufgaben.
Aber es gibt keine -Einheitsgröße-die für alle passt. Jedes Modell ist an spezifische Anforderungen angepasst-einige für kleine-komplexe Forschungs- und Entwicklungsarbeiten, andere für Produktionslinien mit hoher-Kapazität. Egal, ob Sie gerade erst mit Experimenten in der Anfangsphase beginnen oder eine geschäftige Fabrik leiten, in der C180-Serie ist genau das Richtige für Sie dabei.
Vorteile
1. Szenarioanpassungsfähigkeit: Vollständige-Linkabdeckung
PE 100 (Wissenschaftliche Forschung)
Kompakte Bauweise, platzsparend, keine aufwändigen Nebenkammern. Ermöglicht eine schnelle Laborbereitstellung, erfüllt kleine -Chargen und vielfältige-F&E-Anforderungen und reduziert Platz-/Kosteninvestitionen.
PE 200 (Kleinserienfertigung)
Gleicht Kapazität und Größe für KMU aus. Unterstützt die grundlegende Vorverarbeitung und Ausrichtung des Substrats und erfüllt die Anforderungen „geringer Input, hohe Prozessstabilität“.
PE 300 (Groß-Produktion)
Vollständige-Massenproduktionskonfiguration. Steigert die Substratübertragungseffizienz und Kühlleistung und maximiert den Output. Unterstützt stabil komplexe Prozesse mit langen -Zyklen für hohe-Kapazitäts- und-Stabilitätsanforderungen.
2. Kernprozessfähigkeiten: Niedrige Temperatur, geringer Schaden, hohe Flexibilität
Prozess mit geringem-Schaden
Benutzerdefinierte leitfähige SHD-Schnittstelle + AE 13,56 MHz HF-Stromversorgung (HALO-Funktion). Min. 15 W Ausgangsleistung, 0,016 W/cm² Leistungsdichte-vermeidet Geräteschäden, ideal für empfindliche Halbleiter.
Spannungsabstimmbarkeit
AE-Zweifrequenz-HF (13,56 MHz + 400KHz). Der auf SiH4- basierende SiN-Prozess erreicht einen Spannungsbereich von +500~-1000 MPa und erfüllt damit gerätespezifische Anforderungen an die Filmspannung.
Hohe Einheitlichkeit und Kompatibilität
Der verstellbare bewegliche Tisch sorgt für eine gleichmäßige Filmdicke. Das IGS-Gaspanel (10x Gasleitungen + TEOS) unterstützt SiO/SiN auf SiH4--Basis und USG auf TEOS-Basis in einer Kammer, wodurch die Umschaltzeit verkürzt wird.
Anwendungen
- Wissenschaftliche Forschung (PE 100-geführt):Dies richtet sich an Universitäten, Forschungsinstitute und auf Forschung und Entwicklung-fokussierte Unternehmen. Ganz gleich, ob Sie grundlegende PECVD-Studien durchführen, Filmeigenschaften neuer Materialien (wie III-V-Halbleiter testen) oder MEMS-Gerätestrukturen verifizieren- – es bietet Forschungsteams eine stabile, zuverlässige Laborplattform.
- Mittlere und kleine-Fertigung (PE 200-geführt):Perfekt geeignet für kleine und mittlere Halbleiterunternehmen. Es verarbeitet kleine-Serien von Leistungsgeräten und passiven photonischen Geräten sowie Prozesse wie BPSG und FSG für TC-SAW-Filter. Der Sweetspot? Genau die richtige Kapazität mit Kosteneinsparungen in Einklang bringen.
- Großserienfertigung- (PE 300-geführt):Entwickelt für große Player-denken Sie an große Hersteller von ICs, Photovoltaikmodulen und fortschrittlichen MEMS. Es ermöglicht die Massenproduktion von Schlüsselkomponenten: TSV-Liner, Cu-Diffusionsbarrieren und PV -Si-Filme. Und es wird auch den Anforderungen an hoch{4}stabile Folien in AP-Bereichen gerecht und deckt alles ab, von einfachen Geräten bis hin zu hochmodernen Fertigungen.
Parameter
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Kategorie |
Parameter |
Einzelheiten |
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Untergrundkompatibilität |
Wafergröße |
6-Zoll / 8 Zoll / 12 Zoll (kompatibel mit Standarddicke und Bonding-verdickten Wafern) |
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Substratmaterial |
Si, SiC, GaAs, GaN, Glaswafer |
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Temperaturkontrolle |
Prozesstemperaturbereich |
75 Grad ~ 420 Grad (deckt Niedertemperatur- und herkömmliche Prozesse ab und erfüllt die Anforderungen an die SEMI-Prozesskompatibilität) |
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In-Wafer-Temperaturgleichmäßigkeit |
< 3℃ (for 6-inch/8-inch wafers, based on 1-Piece AlN-coated Platen) |
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Vakuum- und Gassystem |
Gaspanel-Konfiguration |
IGS-Gaspanel, unterstützt bis zu 10× Gasleitungen + TEOS |
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Prozessgaskompatibilität |
SiH₄, N₂O, NH₃, N₂, H₂, B₂H₆, PH₃, SiF₄, O₂, He, Ar, NF₃ |
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Vakuumniveau |
Basisdruck Kleiner oder gleich 5×10⁻⁶ Torr; Prozessdruckbereich: 1–10 Torr (bezogen auf SEMI E113-Standard) |
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Hochfrequenzsystem (RF). |
HF-Stromversorgungstyp |
AE Dual-Frequency RFG (HF + LF), konform mit den SEMI E113-Leistungskriterien |
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Frequenz- und Leistungsbereich |
HF: 13,56 MHz (5~3000 W, unterstützt HALO-Funktion); LF: 400 KHz (300–500 KHz einstellbar, 15–1250 W) |
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Schlüsselkomponenten |
Duschkopf (SHD) |
350 mm Ø vollständige Abdeckung; spezielle leitfähige Schnittstelle; kompatibel mit Multiprozessanforderungen |
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Platte |
1-Stück AlN-beschichtet; SHD-Plattenspalt einstellbar (6~20 mm) zur Prozessoptimierung |
FAQ
F: Welche Substratgrößen und Materialien sind mit der PECVD-Serie kompatibel?
A: Alle Modelle (PE 100/PE 200/PE 300) unterstützen 6--Zoll-, 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafer (einschließlich Wafern mit Standarddicke und Bonding-verdickten Wafern) und sind mit Si, SiC, GaAs, GaN und Glaswafern kompatibel.
F: Was ist der Prozesstemperaturbereich dieser Geräte?
A: Die Temperatur reicht von 75 bis 420 Grad und deckt sowohl die Anforderungen des Niedrigtemperatur- als auch des konventionellen PECVD-Prozesses ab.
F: Wie unterscheiden sich die drei Modelle in den Anwendungsszenarien?
A: PE 100 (kompaktes Design) ist für Forschung und Entwicklung; PE 200 (3 PM-Kammern) eignet sich für die Kleinserienfertigung; PE 300 (4 PM-Kammern + Dual Loadlock) ist für die Massenproduktion im großen Maßstab optimiert.
F: Welche zentralen Prozessvorteile bieten die Geräte?
A: Zu den Hauptstärken gehören geringe-Schäden (min. 15W HF-Ausgangsleistung), Spannungsabstimmbarkeit (+500~-1000 MPa für SiH₄-basiertes SiN) und hohe Filmgleichmäßigkeit (<3% 1σ for 8-inch wafers).
F: Welche Reinigungslösungen gibt es für die Kammern?
A: Optional MKS Paragon RPS system with NF₃ gas (dissociation rate >95 %), Reinigung von SiO auf SiH₄--Basis mit ~4,2 μm/min; Die herkömmliche CF₄-basierte In--Reinigung wird ebenfalls unterstützt.
F: Wie viele Gasleitungen unterstützen die Geräte?
A: Ausgestattet mit einem IGS-Gaspanel, das bis zu 10x Gasleitungen + TEOS für Kompatibilität mit mehreren Prozessen unterstützt.
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