Produktübersicht

In der Halbleiterproduktionslinie ist das Beschichtungs- und Entwicklungssystem eine unverzichtbare Schlüsselausrüstung, die vom ersten Chip-Prototyp bis zur Bildung von Schaltkreismustern unerlässlich ist. Nach Erhalt des Substrats aktiviert das Beschichtungs- und Entwicklungssystem zunächst das Hochgeschwindigkeitsrotationssystem. Mit dem präzise geschwindigkeitsgesteuerten Drehteller verteilt sich der Fotolack gleichmäßig, und selbst die millimetergenauen-Kanten können glatt beschichtet werden.-Dieser Schritt stellt den höchsten Präzisionstest dar und eine geringfügige Abweichung wirkt sich auf die spätere Chipleistung aus.

Der beschichtete Fotolack muss noch ausgehärtet werden. Die eingebaute-Heizplatte des Beschichtungs- und Entwicklungssystems erwärmt sich allmählich, damit die Klebeschicht fest am Substrat haftet. Nachdem das Lithographiegerät die Belichtung abgeschlossen hat, übernimmt es sofort den Entwicklungsprozess. Durch die Steuerung der Temperatur und der Sprühintensität des Entwicklers wird die unbelichtete überschüssige Klebeschicht entfernt und so das Grundmuster des integrierten Schaltkreises freigelegt.

Im praktischen Einsatz erweist sich das Beschichtungs- und Entwicklungssystem als besonders zuverlässig in der Linienbreitenpräzision und ist für verschiedene Chipherstellungsprozesse geeignet. Darüber hinaus ist auch die Produktionskapazität, die in der Produktionslinie am meisten geschätzt wird, hervorragend. Es kann eine große Anzahl von Substraten pro Stunde verarbeiten und benötigt dabei nur wenig Speicher. Es kann mehr als zehn Stunden lang stabil arbeiten und kann mit dem Massenproduktionsrhythmus voll mithalten.

Bitte wenden Sie sich an unsere Vertriebsmitarbeiter, um die für Sie am besten geeignete Lösung zu erhalten.

Vorteile

Die Herstellung hochpräziser Chips basiert auf einer Präzisions-Schleuderbeschichtungstechnik, die einen gleichmäßigen Fotolackauftrag gewährleistet und die nachfolgenden Verarbeitungsschwierigkeiten erheblich verringert.

Komplexe Probleme wie Timing-Ausrichtung und Wafer-Transfer zwischen Geräten können durch spezielle kollaborative Steuerungsmethoden problemlos gelöst werden.

Bedeutende Fortschritte bei der Genauigkeit der Temperaturregelung, der Homogenität auf Nanoebene und der Defektkontrolle haben zu Ausbeuteraten von über 90 % geführt.

Die spezielle Schleuderbeschichtungslösung eignet sich für alle Substrattypen und kann auf Wafer mit unterschiedlichen Dicken und ungewöhnlichen Formen angewendet werden.

Gleichmäßigkeit und Effizienz werden durch optimierte Schleudergeschwindigkeit und Beschichtungsdruck ausgeglichen, was Ausbeuteverluste deutlich verringert und die Herstellung von Chips mit unregelmäßigen Formen erleichtert.

Parameter

①DS 100

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DS 100 Geräteübersicht
Gerätegröße (mm)	*282510801600* 2C2D+Schnittstelle	Wafergröße	2–6 Zoll Wafer (50–100 mm)
WPH	Weniger als oder gleich 160 Stück	MTTR	Weniger als oder gleich 4 Stunden
Leistungsbewertung	Class1@0.1μm Nur Wafer-Transferbereich	MTBF	Größer oder gleich 1000 Stunden
Anwendbarer Prozess	Ich leite, PI, PR	MTBM	>sechs Monate
Wafer-Kontaktmaterial	PEEK/PTFE/KERAMIK	Wafer-Bruchrate	Weniger als oder gleich 0,01 %
Kassetten	SMIF; KASSETTE ÖFFNEN	AUFZEIT	Größer oder gleich 95 %
Anwendungsgebiet	Verbindungshalbleiter, integrierter Schaltkreis, Leistungsgerät, wissenschaftliches Forschungsprojekt, optisches Gerät, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, Warping-Wafer, quadratischer Wafer	Software-Laufzeitumgebung	Betriebssystem Windows 10 oder höher
Mindestlinienbreite	350 nm	Kalt- und Warmplattenmodul	(HP; CPL; ADH; HHP) Weniger als oder gleich 14PCS

②DS 200

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DS 200 Geräteübersicht
Gerätegröße (mm)	*166015102000* (Turmdesign)	Wafergröße	2–6 Zoll Wafer (50–100 mm)
WPH	Weniger als oder gleich 150 Stück	MTTR	Weniger als oder gleich 4 Stunden
Leistungsbewertung	Class1@0.1μm Nur Wafer-Transferbereich	MTBF	Größer oder gleich 1000 Stunden
Anwendbarer Prozess	Ich leite, PI, PR	MTBM	>sechs Monate
Wafer-Kontaktmaterial	PEEK/PTFE/KERAMIK	Wafer-Bruchrate	Weniger als oder gleich 0,01 %
Kassetten	SMIF; KASSETTE ÖFFNEN	AUFZEIT	Größer oder gleich 95 %
Anwendungsgebiet	Verbindungshalbleiter, LED, optisches Gerät, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, Warping-Wafer, quadratischer Wafer	Software-Laufzeitumgebung	Betriebssystem Windows 10 oder höher
Mindestlinienbreite	350 nm	Kalt- und Warmplattenmodul	(HP; CPL; ADH; HHP) Weniger als oder gleich 14PCS

③DS 300

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DS300-Geräteübersicht
Gerätegröße (mm)	*285013602200* 2C2D+Schnittstelle	Wafergröße	4-8-Zoll-Wafer (100 mm- 200mm)
WPH	Weniger als oder gleich 160 Stück	MTTR	Weniger als oder gleich 4 Stunden
Leistungsbewertung	Class1@0.1μm Nur Wafer-Transferbereich	MTBF	Größer oder gleich 1000 Stunden
Anwendbarer Prozess	Ich leite, PI, PR	MTBM	>sechs Monate
Wafer-Kontaktmaterial	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Wafer-Bruchrate	Weniger als oder gleich 0,01 %
Kassetten	SMIF; KASSETTE ÖFFNEN	AUFZEIT	Größer oder gleich 95 %
Anwendungsgebiet	Verbindungshalbleiter, integrierter Schaltkreis, Leistungsgerät, Speicherchip, wissenschaftliches Forschungsprojekt, optisches Gerät, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, Warping-Wafer, quadratischer Wafer	Software-Laufzeitumgebung	Betriebssystem Windows 10 oder höher
Mindestlinienbreite	180 nm	Kalt- und Warmplattenmodul	(HP; CPL; AD; DHP) Weniger als oder gleich 24PCS

④DS 400

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DS 400 Geräteübersicht
Gerätegröße (mm)	*397516552550* 4C4D+Schnittstelle	Wafergröße	6-8-Zoll-Wafer (150 mm- 200mm)
WPH	Weniger als oder gleich 180 Stück	MTTR	Weniger als oder gleich 4 Stunden
Leistungsbewertung	Class1@0.1μm Nur Wafer-Transferbereich	MTBF	Größer oder gleich 1000 Stunden
Anwendbarer Prozess	I-Linie, KrF, ArF, PI, PR, Paket	MTBM	>sechs Monate
Wafer-Kontaktmaterial	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Wafer-Bruchrate	Weniger als oder gleich 0,01 %
Kassetten	FOUP; SMIF; KASSETTE ÖFFNEN	AUFZEIT	Größer oder gleich 95 %
Anwendungsgebiet	Verbindungshalbleiter, integrierter Schaltkreis, Leistungsgerät, Speicherchip, wissenschaftliches Forschungsprojekt, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, Warping-Wafer, quadratischer Wafer	Software-Laufzeitumgebung	Betriebssystem Windows 10 oder höher
Mindestlinienbreite	90 nm	Kalt- und Warmplattenmodul	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Weniger als oder gleich 38PCS

⑤DS 500

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DS 500 Geräteübersicht
Gerätegröße (mm)	*537021002650* 4C4D+Schnittstelle	Wafergröße	8- 12-Zoll-Wafer (200 mm- 300 mm)
WPH	Weniger als oder gleich 200 Stück	MTTR	Weniger als oder gleich 4 Stunden
Leistungsbewertung	Class1@0.1μm Nur Wafer-Transferbereich	MTBF	Größer oder gleich 1000 Stunden
Anwendbarer Prozess	I-Linie, KrF, ArF, PI, PR, Paket	MTBM	>sechs Monate
Wafer-Kontaktmaterial	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Wafer-Bruchrate	Weniger als oder gleich 0,01 %
Kassetten	FOUP; SMIF	AUFZEIT	Größer oder gleich 95 %
Anwendungsgebiet	Verbindungshalbleiter, integrierter Schaltkreis, Leistungsgerät, Speicherchip, wissenschaftliches Forschungsprojekt, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, Warping-Wafer, quadratischer Wafer, CoWoS	Software-Laufzeitumgebung	Betriebssystem Windows 10 oder höher
Mindestlinienbreite	45 nm	Kalt- und Warmplattenmodul	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Weniger als oder gleich 42PCS