Produktübersicht
Der Arbeitsablauf des VPD-Systems gliedert sich in drei Hauptschritte: Erstens bricht HF-Dampf die Oxidschicht auf der Waferoberfläche ab; als nächstes werden die darin eingeschlossenen Metalle freigesetzt; Schließlich sammeln Präzisionströpfchen diese Verunreinigungen für eine detaillierte-Analyse.
Das System entspricht den SEMI-Standards und funktioniert nahtlos mit 8-Zoll- und 12-Zoll-Fabriken (6-Zoll-Wafer werden über optionale Tabletts unterstützt). In Kombination mit ICP-MS oder TXRF erhöht es die Empfindlichkeit um das volle 100-fache.
Ob für hochpräzise Produktionslinien oder Forschungs- und Entwicklungslabore, es liefert eine konsistente, stabile Leistung-selbst in den komplexesten Halbleiterfertigungsumgebungen.
Vorteile
1. Extrem niedrige Nachweisgrenze: Reichert Spurenmetalle an, um mit ICP-MS/MS eine Empfindlichkeit von 10⁵-10⁸ Atome/cm² zu erreichen, die alle Elemente von Li bis U abdeckt.
2. Umfassende Kompatibilität: Unterstützt 8/12-Zoll-Wafer nativ; Geeignet für strukturierte Wafer, dicke Oxide und neuartige Materialien für verschiedene Szenarien.
3. Hohe Effizienz: Durch das radiale Scannen wird die gesamte Waferverarbeitung in weniger als oder gleich 60 Sekunden abgeschlossen. SECS-GEM-Unterstützung ermöglicht die automatisierte Fab-Integration.
4. Zuverlässige Sammlung: Flexible Probenahme (vollständiger Wafer/Zonenbereich/Kante) mit hoher Metallrückgewinnung und minimaler Hintergrundkontamination.
Anwendungen
1. QC für die Wafer-Massenproduktion: Überwacht 8/12--Zoll-Logik-, Speicher- und Leistungswafer und erkennt Verunreinigungen, die die Geräteleistung in kritischen Herstellungsschritten beeinträchtigen können.
2. Wafer-Regeneration: Überprüft den Verschmutzungsgrad recycelter Wafer, um die Wiederverwendbarkeit zu bestätigen und so zur Senkung der Produktionskosten beizutragen.
3. Fortgeschrittene Forschung und Entwicklung: Quantifiziert Dotierstoffe und Verunreinigungen in 2D-Materialien und neuartigen Filmen und erleichtert so die Feinabstimmung-der Prozessparameter für bessere Ergebnisse.
4. Verpackung auf Waferebene: Inspiziert verpackte Waferoberflächen und Bondschnittstellen, um Korrosion oder elektrische Fehlfunktionen entlang der Produktionslinie zu verhindern.
Parameter
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Kategorie |
VPD-System |
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Wafer-Kompatibilität |
8 Zoll, 12 Zoll (nativ); 6 Zoll (optional, über spezielle Fächer) |
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Nachweisgrenze (mit ICP-MS/MS) |
10⁵-10⁸ Atome/cm²; deckt die Elemente 7Li bis 238U ab |
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Prozessablauf |
Dampfphasenzersetzung → Präzises Tröpfchenscannen → Schadstoffsammlung |
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Volle-Wafer-Verarbeitungszeit |
Weniger als oder gleich 60 Sekunden (radiale schnelle -Scandüse) |
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Sampling-Modi |
Voll-wafer, zonal, ringförmig; Unterstützt die Erfassung von Kanten-/Abschrägungsbereichen |
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Zersetzungsmedium |
Hoch-reiner HF-Dampf (kontrollierbare Konzentration und Durchflussrate) |
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Kompatible Analysetools |
ICP-MS, ICP-MS/MS, TXRF |
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Automatisierungsprotokoll |
Unterstützt SECS-GEM; integrierbar in automatisierte Halbleiterproduktionslinien |
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Branchenkonformität |
Entspricht den SEMI-Standards |
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Anwendbare Wafertypen |
Nackte Wafer, gemusterte Wafer, Wafer mit dicker Oxidschicht, Wafer aus neuartigen Materialien |
FAQ
Q: Welche Wafergrößen unterstützt das System?
A: Natives 8/12-Zoll; 6 Zoll über optionale dedizierte Fächer.
Q: Wie niedrig ist die Nachweisgrenze?
A: 10⁵-10⁸ Atome/cm² bei Integration mit ICP-MS/MS, deckt Li-U-Elemente ab.
Q: Wie lange dauert die vollständige-Waferverarbeitung?
A: Weniger als oder gleich 60 Sekunden mit radialer Fast-Scan-Technologie.
Q: Kann es in bestehende Fertigungslinien integriert werden?
A: Ja, unterstützt das SECS-GEM-Protokoll für eine nahtlose Automatisierungsintegration.
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